SA12180 12V18AH/SOTA蓄电池代理商

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SOTA蓄电池产品特点性能：

一、高可靠性 
除了不需补加水的特点外，SOTA电池还有如下特点：无泄漏、安全、抗震动、抗冲击，电池一致性良好。1.关键的原材料和零部件（负极添加剂、O型圈、安全阀、密封胶等）全部进口；2.电池100%经充放循环后出厂；3.电池100%通过在线测试后出厂（检验密合度、内阻、开路、闭路电压）；4.全系列产品通过UL安全认证。（档案号MH19323）；CE认证；5.质量体系获得ISO9001认证；6.通过Vds认证。二、自放电率低 
采用高纯度的原料和特殊的铅钙合金，使SOTA电池的自放电率只有传统的含锑电池的1/4-1/5。三、比能量高 
与同行业的平均水平相比，在相同的体积下，SOTA电池能提供高于平均水平10%的容量。四、可任意方向放置使用

随着集成电路的快速发展，电子产品越来越小型化、智能化和复杂化，应用面越来越广泛，比如手机、计算机、等离子电视、汽车电子等等。功率器件作为高压集成电路中的重要部分，要求具有高耐压和大电流等特性。与标准CMOS工艺兼容的高压nLDMOS由于电极均在表面易于集成常被用于高压功率器件的设计。与此同时，研究高压功率器件一些独有的性质，例如准饱和效应，也是一项重要的工作。准饱和效应对于高压器件建模和指导电路仿真有重要的作用[1-3]。关于准饱和效应的产生机理，也有很多种说法[4-6]。

高压LDMOS器件为了缓解耐压和导通电阻之间的矛盾关SA12180 12V18AH/SOTA蓄电池代理商系，常采用双RESURF结构[7-8]，如图1（a）所示，以提高器件的耐压和降低器件导通电阻。而超结（SJ，Super Junction）[9-10]的发明和使用，可以进一步优化器件耐压和导通电阻之间的关系。

         

图1（a）双RESURF-nLDMOS三维结构图     （b）SJ-nLDMOS三维结构图

本文以高压SJ-nLDMOS结构为例，如图1（b）所示，Vd’值是沟道和N漂移区的冶金结边界电压，即准漏极电压。高压SJ-nLDMOS结构是在常规单晶型高压nLDMOS器件的漂移区表面增加超结（SJ）结构，旨在降低导通电阻增大电流。借助仿真软件SILVACO，对不同偏置的三维nLDMOS器件进行研究，并从准漏极电压Vd’ 和漂移区耗尽层入手，研究准饱和现象的物理机制。且相比常规双RESURF高压nLDMOS器件，在相同的耐压条件下，高压SJ-nLDMOS结构可以降低导通电阻提高饱和电流。