BlOSSOM蓄电池BTS400正品免维护2V400AH

深圳普朗特电源有限公司原公司创办于1996年，致力于研发、生产和销售免维护阀控式铅酸蓄电池。公司引进国外先进的生产工艺、技术和设备，全程配置环保空调，采用进口原材料，获得生产许可证。

产品通过美国UL认证、欧盟CE认证、SGS认证、德国VDS认证，产品的生产过程获得德国RWTUV的ISO9001:2000质量管理体系认证

IBT蓄电池品种有300多个，额定电压有2V、4V、6V、8V、12V、22V、24V、36V，额定容量从0.8Ah到3000Ah，应用领域十分广泛。产品具有品种全、容量大、比能量高、自放电低、寿命长、一致性好等优点，90%的产品销往欧美十多个。

普朗特公司始终坚持“品质、用户放心、以人为本、精益求精”宗旨，竭诚为国内外用户提供质优价廉的产品和高效满意的服务。

本公司目前的产品类型有：

1. 固定型电池 2.太阳能系列 3.电动车系列 4. 通用性 5. UPS (不间断电源)

6. 狭长型电池 7. 长寿命型电池 8. 大电流型电池 9.胶体电池系列 10.启动电动型

本公司专业生产高品质的铅酸蓄电池,其产品标称电压为2V，4V，6V，8V，12V及电池组（如24v,48v等）,型号从0.8AH-3000AH,共有十大系列400多种规格。产品免维护，自放电率低，高可靠性，好的一致性，适用温度范围广，比能量高，低内阻、好的大电流放电性能等优点。BlOSSOM蓄电池BTS400正品免维护2V400AH

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2 多元化合物薄膜太阳能电池

为了寻找单晶硅电池的替代品，人们除开发了多晶硅、非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。上述电池中，尽管硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代 砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和LPE技术，其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错、反应压力、III-V比率、总流量等诸多参数的影响。 除GaAs外，其它III-V化合物如Gasb、GaInP等电池材料也得到了开发。1998年德国费莱堡太阳能系统研究所制得的GaAs太阳能电池转换效率为24.2%，为欧洲记录。首次制备的GaInP电池转换效率为14.7%.见表2。另外，该研究所还采用堆叠结构制备GaAs，Gasb电池，该电池是将两个独立的电池堆叠在一起，GaAs作为上电池，下电池用的是Gasb，所得到的电池效率达到31.1%。 铜铟硒CuInSe2简称CIC。CIS材料的能降为1.leV，适于太阳光的光电转换，另外，CIS薄膜太阳电池不存在光致衰退问题。因此，CIS用作高转换效率薄膜太阳能电池材料也引起了人们的注目。 CIS电池薄膜的制备主要有真空蒸镀法和硒化法。真空蒸镀法是采用各自的蒸发源蒸镀铜、铟和硒，硒化法是使用H2Se叠层膜硒化，但该法难以得到组成均匀的CIS。CIS薄膜电池从80年代最初8%的转换效率发展到目前的15%左右。日本松下电气工业公司开发的掺镓的CIS电池，其光电转换效率为15.3%(面积1cm2)。1995年美国可再生能源研究室研制出转换效率为17.l%的CIS太阳能电池，这是迄今为止世界上该电池的最高转换效率。预计到2000年CIS电池的转换效率将达到20%，相当于多晶硅太阳能电池。 CIS作为太阳能电池的半导体材料，具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。

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