激光二极管 QSI总代理 905激光二极管

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发布时间
2019-05-23 15:59:31
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激光二极管是上世纪60年代发明的一种光源半导体激光器,又称镭射管(Laser Diode)。LASER是取"Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(基于受激发射的光放大)"的首字母组成的缩写单词,通常简称为LD。由于可产生波长及相位等性质完全一样的光,因此相干性高是其特点。

激光二极管的发光原理:激光二极管中的P-N结由两个掺杂的GaAs层形成。它有两个平端结构,平行于一端镜像(高度反射面)和一个部分反射。要发射的光的波长与连接处的长度正好相关。当P-N结由外部电压源正向偏置时,电子通过结而移动,并像普通二极管那样重新组合。当电子与空穴复合时,光子被释放。这些光子撞击原子,导致更多的光子被释放。随着正向偏置电流的增加,更多的电子进入耗尽区并导致更多的光子被发射。最终,在耗尽区内随机漂移的一些光子垂直照射反射表面,从而沿着它们的原始路径反射回去。反射的光子再次从结的另一端反射回来。光子从一端到另一端的这种运动连续多次。在光子运动过程中,由于雪崩效应,更多的原子会释放更多的光子。这种反射和产生越来越多的光子的过程产生非常强烈的激光束。在上面解释的发射过程中产生的每个光子与在能级,相位关系和频率上的其他光子相同。因此,发射过程给出单一波长的激光束。为了产生一束激光,必须使激光二极管的电流超过一定的阈值电平。低于阈值水平的电流迫使二极管表现为LED,发出非相干光。

850nm 10mw红外激光二极管 QSI激光二极管

激光二极管品牌:QSI

输出波长:850nm

功率:10mw

温度:-10~60度

封装:TO-18

★我们可以提供主要有以下型号:

  635nm/5-20mW,650nm/5-100mW,685nm/10-30mW,

  780nm/3-10mW,808nm/200-500mW,830nm/10-30mW,

  905nm/5-10mW,940nm/50-200mW。等等


QSI激光二极管 850nm30mw 红外模组总代理

激光二极管品牌:QSI

输出波长:850nm

功率:30mw

温度:-10~60度

封装:TO-18

★我们可以提供主要有以下型号:

  635nm/5-20mW,650nm/5-100mW,685nm/10-30mW,激光模组,

  780nm/3-10mW,808nm/200-500mW,830nm/10-30mW,

  905nm/5-10mW,940nm/50-200mW。等等

主要技术参数:

①波长:即激光管工作波长,可作光电开关用的激光管波长有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。下图是常见波长的镭射光对应的颜色:

②阈值电流Ith :即激光管开始产生激光振荡的电流,对一般小功率激光管而言,其值约在数十毫安,具有应变多量子阱结构的激光管阈值电流可低至10mA以下。

③工作电流Iop :即激光管达到额定输出功率时的驱动电流,此值对于设计调试激光驱动电路较重要。

④工作电压Vop:是发出规定的光输出时需要的正向电压。

⑤光输出功率 Po:最允许的瞬时光学功率输出。这适用于连续或脉冲操作模式。

⑥暗电流 Id:光电二极管反向偏置时的泄漏电流。暗电流既取决于温度又取决于电压,

理想的二极管/光电二极管在相反的方向上没有电流。

⑦微分效率η:每单位驱动电流的光输出的增加量。表示在激光振荡领域相对于正向电流的光输出直线的倾斜度。

⑧垂直发散角θ⊥:激光二极管的发光带在垂直PN结方向张开的角度,一般在15?~40?左右。

⑨水平发散角θ∥:激光二极管的发光带在与PN结平行方向所张开的角度,一般在6?~ 10?左右。

⑩监控电流Im :即激光管在额定输出功率时,在PIN管流过的电流。


QSI激光二极管成立于2000年 .2004年出口额达到1200万美元. 2014年被政府评为“技术创新公司”QSI凭借丰富的专业知识和经验、先进的产品设计能力和先进的生产设备,可以独立的处理包括EPI、FAB和PKG等,为世界提供解决方案,迅速响应客户的需求和需求,赢得了世界的盛誉,产品更是享誉全世界。

QSI激光二极管中国区域总代理,保证品质,原装进口。原厂自主研发,18年光电行业相关经验,激光二极管,产品通过ROHS,美国FDA认证。产品涵盖全波段 :275-940 其中包括:紫光,蓝光,绿光,红光 ,红外,功率:3mW-75W,保证原装,品牌保证。凭借20年对中国市场的熟悉以及15年的光电行业相关经验,目前已在光电行业建立一个坚定的市场。

我们可以提供主要有以下型号:

  635nm/5-20mW,650nm/5-50mW,685nm/10-30mW,780nm/3-90mW,808nm/200-1W,830nm/10-30mW,绿光激光二极管,

  905nm/10-200mW,940nm/50-200mW。等等。

大家知道:半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上,半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同,更重要的是半导体具有独特的性能(特性)。

1. 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质,半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。例如,晶体管就是利用这种特性制成的。

2. 当环境温度升高一些时,半导体的导电能力就显著地增加;当环境温度下降一些时,半导体的导电能力就显著地下降。这种特性称为“热敏”,热敏电阻就是利用半导体的这种特性制成的。

3. 当有光线照射在某些半导体时,这些半导体就像导体一样,导电能力很强;当没有光线照射时,905激光二极管,这些半导体就像绝缘体一样不导电,这种特性称为“光敏”。例如,用作自动化控制用的“光电二极管”、“光电三极管”和光敏电阻等,就是利用半导体的光敏特性制成的。

由此可见,温度和光照对晶体管的影响很大。因此,晶体管不能放在高温和强烈的光照环境中。在晶体管表面涂上一层黑漆也是为了防止光照对它的影响。最后,明确一个基本概验:所谓半导体材料,是一种晶体结构的材料,故“半导体”又叫“晶体”



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