Nanoplus高性能DFB半导体激光器

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2010-09-06 16:42:00
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Nanoplus高性能单模DFB半导体激光器(760nm—3000nm之间的任意中心波长),以及中红外(7μm—12μm)中多个波长的单模量子级联DFB-QCL激光器,该激光器采用独一无二的侧面金属光栅技术,封装包括TO-CAN和蝶形等,在波长和封装上提供了多种选择。







Nanoplus公司脱离于乌兹堡大学(Wurzburg University)技术物理系并于1998年成立,一直致力于新型半导体激光器的研究。近日Nanoplus推出高性能单模DFB半导体激光器(760nm—3000nm之间的任意中心波长),以及中红外(7μm—12μm)中多个波长的单模量子级联DFB-QCL激光器,该激光器采用独一无二的侧面金属光栅技术,封装包括TO-CAN和蝶形等,在波长和封装上提供了多种选择(产品如图1,芯片如图2)。















图1 Nanoplus高性能单模DFB半导体激光器









图2 激光芯片示意图



Nanoplus DFB激光器应用案例:

  Nanoplus DFB激光器的一个重要应用是基于红外吸收原理(TDLS)的气体分析,另外在精准测量、医疗诊断、原子钟和航天技术上也有重要的应用。如:图3是用于燃烧控制的示意图,通过严格监控各气体的成分比例(H2O, O2, CO, CO2, NH3, NO2等)实现更快更有效的燃烧,从而减少污染物的排放,减小能耗。如:图4是用于大气测量的示意图,通过把半导体激光器、探测器安装到飞行器上,实现对太空气体的痕量分析。







图3 用于燃烧控制的示意图









图4 用于大气测量的示意图





· Nanoplus高性能单模DFB半导体激光器优势:



  相比其它DFB,Nanoplus DFB激光器的优势在于采用了创新的侧面金属光栅技术,而不是一般的半导体光栅技术,它的光学反射灵敏度和阈值电流都非常低,能够获得很好的光谱纯度和非常高的边摸抑制比(SMSR)。Nanoplus另一个核心技术是其对GaSb、GaAs等半导体材料的研究,使其实现了发射波长覆盖整个近红外区域。以2330nm DFB(用于CO气体传感、精确计量、航天技术等)为例:如图5是光谱图,标准参数输出功率为3mw,正向电流为100mA,SMSR>32dB,其它参数如表格1所示。如图6是中心波长和电流、温度的关系,在温度15°C~35°C,电流60mA~120mA内实现无模跳谐调,谐调范围大于3nm。







































光电特性 (T = 25 °C)

符号

单位

最小

标准

最大



中心波长

λ

nm

2329

2330

2331



阈值电流

Ith

mA

25

30

50



斜度效率

e

mW / mA

0.10

0.15

0.2

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