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- 2019-05-31 15:03:12
艺炫电子科技——
米勒振荡是一个很核心的一环,尤其是超过100KHz以上的频率,做超高频感应加热电源的,工作频率在500K~1MHz范围,功率大于5KW,拓扑结构是LLC电路,H桥输出,此外为了实现功率线性可调节,采用40Hz PWM调制,国产mos管厂家,可以理解为H桥以25mS为周期,不停的开始,关闭,而因为感应加热设备的负载是并联LC谐振环,这样每一次的开始等价于输出短路
艺炫电子科技——MOS管
MOS管发热四大关键因素。
1.芯片发热,假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为:I=cvf
2.功率管发热,功率管的功耗分成两部分,上海mos管,开关损耗和导通损耗。
3.工作频率降频,输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。
4.电感或者变压器的选择,直插mos管厂家,
艺炫电子科技——中压mos管
选择到一款正确的MOS管,可以很好地控制生产制造成本,高压mos管哪家好,最为重要的是,为产品匹配了一款最恰当的元器件,这在产品未来的使用过程中,将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到高效、最稳定、最持久的应用效果
MOS管有两种结构形式,即N沟道型和P沟道型,结构不一样,使用的电压极性也会不一样,因此,在确定选择哪种产品前,首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管
在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法