DAFER蓄电池NP55-12 12V55AH规格及参数
DAFER蓄电池NP55-12 12V55AH规格及参数
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德富力蓄电池规格 参数:
电池型号 额定电压（V） 容量（Ah)
重量约（kg) 外观尺寸 端子类型
长 宽 高
NP17-12 12 17 5 181 77 167 T2
NP20-12 12 20 5.5 181 77 167 T2
NP24-12 12 24 6.5 166 126 174 T4
NP26-12 12 26 7.8 175 166 125 T4
NP26-12 12 26 10 197 166 174 T32
NP33-12 12 33 11 197 166 174 T32
NP38-12 12 28 12 197 166 174 T32
NP40-12 12 40 12.5 197 166 174 T32
NP55-12 12 55 16.5 230 138 211 T9,T16
NP65-12 12 65 20 350 166 179 T9
NP100-12 12 100 30 407 174 209 T10
NP120-12 12 120 37 407 174 233 T11
NP150-12 12 150 42.5 484 170 240 T46
NP200-12 12 200 60 522 240 216 T11
NP250-12 12 250 73.5 520 268 220 T11
www.mcaxdcgw.com
www.sbb-batterygw.com
www.yutai-battery.com
www.jenon-battery.cn
www.ntcca-xdc.com
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IGBT模块
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、DAFER蓄电池NP55-12 12V55AH规格及参数变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N＋ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N＋ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P＋ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P＋ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。DAFER蓄电池NP55-12 12V55AH规格及参数当MOSFET 的沟道形成后，从P＋ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。