上海伯东考夫曼离子源 KDC 40

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KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数

型号	KDC 40
供电	DC magnetic confinement
- 阴极灯丝	1
- 阳极电压	0-100V DC
电子束	OptiBeam™
- 栅极	专用, 自对准
-栅极直径	4 cm
中和器	灯丝
电源控制	KSC 1202
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架构	移动或快速法兰
- 高度	6.75'
- 直径	3.5'
- 离子束	集中平行散设
-加工材料	金属电介质半导体
-工艺气体	惰性活性混合
-安装距离	6-18”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

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上海伯东: 罗先生

上海伯东考夫曼离子源 KDC 40

伯东企业（上海）有限公司