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- 2020-04-13 22:03:08
对LED大屏幕常用的IC都有哪些，下面对常见IC做个简单汇总，方便大家参考：
74HC245的作用：信号功率放大，双向3态数据缓冲器（不带锁存），就是给低输出能力的芯片提供高带载能力；
74HC138的作用：八位二进制译十进制译码器；
4953的作用：行驱动管，功率管；
74HC595的作用：列驱动管，LED驱动芯片，8位移位锁存器（主用室内单元板）；
台湾聚积MBI5024， MBI5026， 日本东芝TB62726的作用：LED驱动芯片，16位移位锁存器（主要用于室外模组）；其功能与74HC595相似，只是TB62726是16位移位锁存器，并带输出电流调整功能，但在并行输出口上不会出现高电平，只有高阻状态和低电平状态。74HC595并行输出口有高电平和低电平输出，TB62726与5026的引脚功能一样，结构相似。LED显示屏（LED display）是一种平板显示器，由一个个小的LED模块面板组成，用来显示文字、图像、视频、录像信号等各种信息的设备。
LED ，显示驱动ic，发光二极管（light emitting diode缩写）。它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式，由（Ga）与（As）、磷（P）、氮（N）、铟（In）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷二极管发红光，磷化二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，铟氮二极管发蓝光。
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，驱动ic厂家，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，驱动ic用途，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
模拟电路
有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的，因为模拟电路设计重视的性能参数，黄埔区驱动ic，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随著MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热破坏（thermal runaway）。另外，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代。
随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board，PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本独立的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位集成电路上就有很大的竞争优势，在类比集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如类比/数位转换器（Analog-to-Digital Converter，ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。