奥科蓄电池6GFM12-12 批发零售及价格说明

过电压损坏　　

　　防止过电压损坏方法有：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感;适当增加IGBT驱动电阻Rg使开关速度减慢（但开关损耗也增加了）;设计缓冲电路，对尖峰电压进行抑制。用于缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管，电容必须是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。常见电路有耗能式和回馈式缓冲电路。回馈式又有无源式和有源式两种，详细电路设计可参见所选用器件的技术手册。　　

　　③桥臂共导损坏　　

　　在UPS中，逆变桥同臂支路两个驱动必须是互锁的，而且应该设置死区时间（即共同不导通时间）。如果发生共导，IGBT会迅速损坏。在控制电路应该考虑到各种运行状况下的驱动问题控制时序问题。
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奥科蓄电池产品特点：
1.使用寿命
高强度紧装配工艺，提高电池装配紧度，防止活物质脱落，提高电池使用寿命。
低酸比重电液，提高电池充电接受能力，增强电池深放电循环能力。
增多酸量设计，确保电池不会因电解液枯竭缩短电池使用寿命。
此GFM系列蓄电池的正常浮充设计寿命可达15年以上(25℃)
2.高倍率放电性能优良
高强度紧装配工艺，电池内阻极小，大电流放电特性优良，比一般电池提高20[%]以上。
3. 自放电低
高纯度原料和特殊造工艺，自放电很小，室温储存半年以上也可无需补电。
4.维护简单
特殊氧气吸收循环设计，克服了电池在充电过程中电解失水的现象，在使用过程中电解液水份含量几乎没有变化，因此电池在使用过程中完全无需补水，维护简单
奥科 UPS电源免维护铅酸蓄电池按《GB/T阀控封式铅酸蓄电池标准》设计制造，产品在使用前无需加水，用户只需正确安装即可使用。蓄电池具有无酸液泄漏、电阻小、耐震动性能、抗过放电恢复能力强，自放电小，寿命长等特点。
宝贝特点：
装备紧密，不渗漏，无酸污染;无需特定环境使用；无需加水，无需补充电解液，免维护；连接方便，无需特定方向使用；内阴小，输出功率高；低阻抗设计，自放电低，容量保持及存储时间在20℃下达12个月以上；采用C.C.D.S充放电检测系统，保证了产品一致性;采用高强度工程塑料为原料及高密度超细玻璃纤维隔板，确保电池的一流品质；适应各种温度条件（-15℃—45℃）;无游离电解液，防爆，自放电小。
性能与优势：
安全可靠性高
采用全自动的安全阀（VRLA），能防止气体被吸入蓄电池影响其性能，同时也可防止因充电等所产生的气体造成内压异常而损坏蓄电池。全密闭蓄电池在正常浮充下不会有电解液及酸雾排出。同时，采用自主专利技术的蓄电池托盘与蓄电池配套使用，确保蓄电池组使用更加安全。
使用寿命长

型号	电压	容量	参考重量	外型尺寸
（V）	（Ah）	（Kg）	长宽高（mm）
6GFM12-7	12	7	2.6	1156594
6GFM12-17	12	17	6
6GFM12-38	12	38	12
6GFM12-65	12	65	20	350166175
6GFM12-100	12	100	30	407173210

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过电压损坏;　　

　　IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压过压则可能造成IGBT击穿损坏。　　

　　③桥臂共导损坏;　　

　　④过热损坏和静电损坏。　　

　　3、IGBT损坏的解决对策

　　　①过电流损坏　　

　　为了避免IGBT发生擎住效应而损坏，电路设计中应保证IGBT的最大工作电流应不超过IGBT的IDM值，同时注意可适当加大驱动电阻RG的办法延长关断时间，减小IGBT的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，IGBT必须加负偏压，IGBT生产厂家一般推荐加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15V之间，漏极电流可在5～10μs内超过额定电流的4～10倍，所以驱动IGBT必须设计负偏压。由于UPS负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在UPS设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必须的，可考虑采用IGBT厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI公司的EXB841、EXB840，三菱公司的M57959AL，57962CL，它们对IGBT的集电极电压进行检测，如果IGBT发生过电流，内部电路进行关闭驱动。这种办法有时还是不能保护IGBT，根据IR公司的资料，IR公司推荐的短路保护方法是：首先检测通态压降Vce，如果Vce超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8V，于是IGBT由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电路减削，经过4us连续检测通态压降Vce，如果正常，将驱动电压恢复正常，如果未恢复，将驱动关闭，使集电极电流减为零，这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT，另外根据最新三菱公司IGBT资料，三菱推出的F系列IGBT的均内含过流限流电路（RTCcircuit），如图6，当发生过电流，10us内将IGBT的启动电压减为9V，配合M57160AL驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。

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