Prostar蓄电池PR1270 产品系列说明

Prostar蓄电池PR1270 产品系列说明
Prostar蓄电池PR1270 产品系列说明
Prostar蓄电池PR1270 产品系列说明

　山东亿创电子科技有限公司年,是美国、台湾、大陆三方合作的专业设计、制造不间断电源(UPS)、应急电源(EPS)、太阳能组件、太阳能离网/并网系统、太阳能逆变器和全密封免维护电池的公司,全权负责大陆地区的业务推广和服务,经过十几年的努力,宝星系列的新能源、储能和应急产品已在中国的金融、医疗，数据中心、电信、电力、石化、财税等系统大量使用,并广泛获得好评。宝星公司本着“以专业诚恳的态度,造世界一流品质”目标为己任,坚持不断学习和勇于创新的精神,勇攀事业的新高峰。

广东宝星新能科技有限公司拥有众多经验丰富的工程技术人员, 全员经过专业技术培训和考核 。 公司通过ISO9001、ISO14001、 TUV、 CE、 RoHS、 TLC、国际认证联盟lQnet(世界三十多个成员国认证),严格、细致的品质管理, 给予客户极大的信心。多年来,产品不断出口到欧美、中东、东南亚等地区。

   prostar蓄电池公司做为一家在欧洲从事工业电池已超过80多年的制造商。在马耳他，卢森堡，爱尔兰和瑞典均设有办事机构。对不同工业领域的能源问题，prostar可以迅捷地提供建议、确认及寻找新的解决方案。LEADER紧跟电池行业的发展，且永远能找到新的可能性。在欧洲电池能源领域，我们是最好的电池制造商之一。

       基于我们广泛的产品和服务，以及我们的专业知识和积累的经验，我们为客户提供定制的交钥匙解决方案，涵盖各个行业，包括工业，供应链和物流，电信，IT的高要求的能源需求，国防，建筑业和基础设施。

       prostar的铅酸电池制造线包括各种类型的工业电池。从60年代后期已经产生吸收玻璃垫（AGM）电池，2000年后prostar蓄电池公司与法工部门合作，扩大了产品线，其中包括深循环电池。每个电池的设计提供了独特的特点，以适应用户的最苛刻的需求。

        随着用户使用范围广泛的增进，我们提供的尺寸和容量也不断更新。如今，prostar蓄电池可在全球各地各个行业被发现。例如：我们的AGM电池是最有效地在严酷应用，如应急照明和电信备份使用中，而我们的深循环电池是最适合的循环应用的，如轮椅和太阳能发电。我们的铅酸电池也存在于军事应用，高可靠性的数据存储备份系统，以及电动栅栏充电器。

随着数据化建设以及高效绿色节能化建设管理的逐步提高，数据中心的建设、利用已经不再是国家级大型项目的专利，早已深入到各个领域和阶层，然而随着数据中心的长时间运行，环境因素对数据中心的影响伴随着时间的延长逐渐凸显出来，并呈越发严峻的形势。开展环境因素对数据中心影响的检测以及跟踪、危害因素筛查、净化效率及其控制、环境影响预警以及数据中心内部的环境监测方法等的研究和应用，对数据中心建设和长期可靠运行是至关重要的。　　

　　多年的经验告诉我们，环境因素对数据中心的影响，是一个较为漫长、隐蔽且易产生大面积损坏的成因。一般是在数据中心运行相对较长的一段时间会逐渐显现，出现数据丢失、局部停止运行等，也有时候是你刚刚换完一块硬盘或线缆过几天又有一块硬盘损坏，甚至几个机柜同时发生类似现象，甚至还会出现短路、火花、跳闸，严重者所导致的损失是巨大的，这很可能就是你的数据中心因受到环境因素的影响久而久之导致损坏，那么什么因素是破坏数据中心的罪魁祸首呢？下面的几个例子，可以看出环境因素对数据中心的影响。　
Prostar蓄电池PR1270 产品系列说明

　 　除此而外，还有双极性三极管与MOS FET管的混合产品，即所谓IGBT绝缘栅双极晶体管。顾名思义，它属MOS FET管作为前级、双极性三极管作为输出的组合器件。因此，IGBT既有绝缘栅场效应管的电压驱动特性，又有双极性三极管饱合压降小和耐压高的输出特性，其关断时间达到0.4μs以下，VCEO达到1.8kV,ICM达到100A的水平，目前常用于电机变频调速、大功率逆变器和开关电源等电路中。

一般中功率开关电源逆变器常用MOS FET管的并联推挽电路。MOS FET管漏-源极间导通电阻，具有电阻的均流特性，并联应用时不必外加均流电阻，漏源极直接并联应用即可。而栅源极并联应用，则每只MOS FET管必须采用单独的栅极隔离，避免各开关管栅极电容并联形成总电容增大，导致充电电流增大，使驱动电压的建立过程被延缓，开关管导通损耗增大。

MOSFET的驱动

近年来，随着MOSFET生产工艺的改进，各种开关电源、变换器都广泛采用MOS FET管作为高频高压开关电路，但是，专用于驱动MOS FET管的集成电路国内极少见。驱动MOSFET管的要求是，低输出阻抗，内设灌电流驱动电路。所以，普通用于双极型开关管的驱动IC不能直接用于驱动场效应管。

目前就世界范围来说，可直接驱动MOSFET管的IC品种仍不多，单端驱动器常用的是UC3842系列，而用于推挽电路双端驱动器有SG3525A（驱动N沟道场效应管）、SG3527A（驱动P沟道场效应管）和SG3526N（驱动N沟道场效应管）。然而在开关电源快速发展的近40年中，毕竟有了一大批优秀的、功能完善的双端输出驱动IC.同时随着MOSFET管应用普及，又开发了不少新电路，可将其用于驱动MOSFET管，解决MOSFET的驱动无非包括两个内容：一是降低驱动IC的输出阻抗；二是增设MOSFET管的灌电流通路。为此，不妨回顾SG3525A、SG3527A、SG3526N以及单端驱动器UC3842系列的驱动级。