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- 北京欧普兰科技有限公司
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- 发布时间
- 2020-04-30 12:45:40
（1）
北京欧普兰长期和各个foundries有合作，对各种工艺都比较熟悉，IHP这种工艺，我公司能够正确解读其PDK信息，甚至在一些专业IC设计软件上能够正确转换为对应工艺文件，NB-IOT物联网，所以能保证在项目传输线分析时工艺信息可靠。
（2）
LDE效应是指：终的版图加工尺寸和金属属性已和设计无关，取决于版图自身；不同金属层的这种效应也不相同；同一金属层会牵扯到方块电阻、走线宽度等和版图尺寸的依赖关系；而且各foundries的LDE效应不同。目前LDE对我们EDA设计带来很大挑战，在项目前期，准确的评估对应foundry的LDE效应，才能使我们的结合和实测结果更接近。
本次项目使用的工艺和反向芯片之前的工艺不同，因此存在LDE效应的差异，必须加以考虑。我司在和foundries长期合作过程中，已能获取它们各个工艺节点的LDE效应表，并进行转换调用。因此在合作过程中，LDE效应我司会帮虑进来，保证正确性。
（3）
北京欧普兰能对高频时钟走线进行评估，如何用传输线模型进行分析；对于这种串接电阻的传输线匹配方案也有涉及，能够给出设计说明和项目验证指导；对于多端口网络有高效的建模经验，蓝牙射频IC，能够生成项目需要的频域和时域模型，方便项目进行设计后的模型选取。
（4）
对于传输线中关注的设计方法，北京欧普兰会结合项目实际情况进行联合验证，输出指导报告，供项目后续参考；串联电阻对振铃问题、过冲问题的影响，毫米波雷达射频IC，会进行细致的设计分析和项目验证；对于厚金属走线方案，结合设计方法给出串联电阻调整方案。
射频集成电路设计设计非常复杂，难度很大，EM软件的使用不仅要与其他EDA软件衔接，还要准确导入制成工艺信息，电磁sim的设置也需要考虑很多专业问题，因此非常需要专业人员的指导。
北京欧普兰科技有限公司是一家有十多年历史的、专业EDA软件代理公司，Oplantech有专业的技术支持团队，团队成员也都有的专业背景，有10年以上的射频电路设计经验，可以为为中国区内的客户提供技术支持服务。
随着数据链路和内存链路的不断发展， 芯片之间的 IO 接口速度已超出 10GB/s。 但信号
带宽受到 IO 电容的严重影响， 为了消除 IO 电容造成的信号损耗， 原始的方案是使用高灵
敏度接收单元或者增添均衡器， 但这样会增加额外电路成本和功耗， 所以降低 IO 电容是一
个研究方向。
IO 电容有多个组成部分， 占比的是 ESD 结构电容（因为要提供满足要求的 ESD 容
限，导致电容较大），为了满足 2KV HBM 和 500V CDM 等 ESD 设计要求， ESD 电容很难做小，
例如，射频IC， 将其降到 0.4pF 非常困难。
除了 ESD 电容外， 金属走线、 有源器件、 开关等的寄生电容对 IO 电容也有贡献， 因此，
将 IO 电容控制在 1PF 是比较困难的