氧化锌晶体厂家 安徽氧化锌晶体 合肥合瑞达高品质

氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料，氧化锌晶体衬底基片，因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义。

氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，氧化锌晶体单晶衬底基片，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，安徽氧化锌晶体，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质，有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。

氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：透过范围：0.4-0.6 um gt; 50% at 2mm；晶向：lt;0001gt;、lt;11-20gt;、lt;10-10gt;±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底；表面粗糙度：Surface roughness(Ra):lt;=5A可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光：单面或双面；包装：100 级洁净袋，1000 级超净室。

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