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- 发布时间
- 2020-05-05 17:42:17
生产工艺
粗 、中、细SiC的配方应为5:1:4。制造碳化硅砖原料一般选用黑色SiC,其化学成分如下:SiC 98.0%,游离C 0.5%,Fe 0.2%,游离SiO2 0.6%。由于结合方式不同,工艺过程有差异。不同结合方式的简要工艺是:
(1)氮化硅结合碳化硅砖:用粗、中、细碳化硅颗粒和细硅粉成型的坯体,在纯N2气体中,在1370℃产生一种以%26α-SiC为骨架和以%26α和%26β-Si3N4。为基质的氮化硅结合碳化硅砖。在基质中尚有少量残留硅和SiO2N2在制品中,这些组分的相对含量随制造工厂不同而异。
(2)结合碳化硅砖:将SiC、硅粉、炭粉按一定配比,混合、成型,在1400℃还原气氛中烧成。在大多数情况下采用埋炭烧成。在烧成过程中,产生一种以%26α-SiC为骨架,以细晶粒%26β-SiC为基质的%26β-Si3N4结合SiC砖。%26β-SiC是在烧成过程中,细硅粉与细碳粉反应生成的,这种产品也含有少量残留硅和碳。
(3)氧氮化硅结合碳化硅砖:这种砖配料时,细硅粉配比要少于碳化硅。
氮化硅结合碳化硅砖
氮化硅结合碳化硅砖是用SiC和Si粉为原料,经氮化烧成的耐火制品。其特点是以Si3N4为结合相。Si3N4以针状或纤维状结晶存在于SiC晶粒之间,是一种重要的新型耐火材料。
利用反应烧结原理,以氮化反应使含硅粉的SiC坯体烧结,回收陶瓷碳化硅多少钱,烧成过程在通入氮气、容易控制的密闭炉内完成。炉内温度、压力、气氛均要严格控制。主要工艺参数:氮化气体压力0.02~0.04MPa,炉内气氛含O2量小于0.01%,氮化温度1350~1450℃,氮化总时间随制品形状、尺寸不同而异。