射频AD/DA 北京欧普兰

物理层面降低器件或走线电容比较困难， 需要设法将电容电气特性规避掉， 来解决问

题。 Kleveland 等人设计出分布式 ESD 保护系统， 如下图， 一个四段 ESD 保护结构 CPW， 这

种结构通过调整 CPW 特征阻抗 Z0， 来和源端、 负载端进行阻抗匹配， 避免了早期 ESD 大电

容引起的阻抗不连续。 Z0 调整不但考虑 CPW 的电容、 电感效应， 还要包括 ESD 电容， 具体

计算公式为： Z0=sqrt（Lcpw/（Cesd Ccpw））。

IC设计中，高频、敏感信号传送已逐渐使用差分布线，希望利用差分线优势来减小共模干扰、减小EMI辐射，提升时序控制精度，适用于高频领域等。

差分线设计时，往往对差分线间距，线长，屏蔽地间距，介质环境，布线所在层不能正确把握，导致差分线设计心中没底，通过差分线设计方法，帮助项目提升差分线设计能力。

（1） 差分对两线长度差异性对信号时延，对EMI问题的影响分析；

（2） 差分对是否需要屏蔽地提供回流路径分析，屏蔽地如何进行合理布局；

（3） 差分阻抗、差模阻抗公式计算，以及和结果的定性比对；

（4） 差分对线间距对差分阻抗的影响分析；

（5） 差分对线长和线间距对信号影响的比对分析，在设计中如果二者冲突时，应如何取舍；

（6） 差分对两条走线间距缩小对EMI屏蔽效果的影响，分析是否间距越小越好，是否有其他方式可以进行EMI屏蔽；

（1）

对差分线布局优缺点分析，说明差分阻抗和特征阻抗的区别，给出版图布局注意事项，具体思路将按照下面过程完成：

1） 差分对两线长度差异性对信号时延，对EMI问题的影响分析；

2） 差分对是否需要屏蔽地提供回流路径分析，屏蔽地如何进行合理布局；

3） 差分阻抗、差模阻抗公式计算，以及和结果的定性比对；

4） 差分对线间距对差分阻抗的影响分析；

5） 差分对线长和线间距对信号影响的比对分析，在设计中如果二者冲突时，应如何取舍；

6） 差分对两条走线间距缩小对EMI屏蔽效果的影响，分析是否间距越小越好，是否有其他方式可以进行EMI屏蔽。