EM VCO

1) HFD功能利用LVS生成的 SV文件进行关键网络或器件自动抓取及pin自动添加，用户只需在版图或原理图中点击待提参nets进行版图抓取。因此用户不用再将有源和无源模块手动分离，利用HFD自动抓取提参nets即可；

2) HFD提参结果提供两种类型，一种是s参数模型，用于频域，一种是集总RLC模型，用于大型时域仿zhen。用户可根据仿zhen用途进行选取；

3) HFD可避免二次提参问题，在初始设置中进行简单设置即可，从而保证后仿准确性；

4) HFD提供pin自动合并功能，当提参nets的pins较多时（例如1000 ），用户可设置pins数量上限，HFD提参时会就近自动合并pins，提升fang真速度；

可以调整 T-coil 相关参数值：上面局限性中提到了，在高频时 X 节点的 S21 受到 L 和 K 的

影响，我们可以尝试调整 L 值来进行验证，一般可以保持 K 不变，来调整两个电感量，

我自己认为，两个电感调整，应该 L1 小点， L2 大点，但是要保证互感 M 不变（通过公式

M=K/sqrt(L1*L2)进行判断的）， L1 小点，则高频时感抗会小， S21 恶化会缓慢。

也可以按照 7.3 分析那样，尝试调整 L（L1=L2=L），观察 S21 的改善情况，对于 L 调

整时 S11 的恶化，可以调整 CB 进行补偿，毕竟 S21 对 CB 不敏感

对于 IO 接口电路， T-coil 一般是接在 ESD 电容结构处， ESD 结构再连接后

续的内部电路。如上面局限性所述，在 X 节点信号 S21 会在高频时恶化（尽管

高频 S11 表现良好）。

如下图所示，可以将 ESD 结构后面的内部电路连接在 Y 节点（之前方案内

部电路是连接在 X 节点的）。那么， ESD 结构的大电容仍然在 X 节点， T-coil 电

路还是通过 Cesd 和 RT 计算得到