液晶驱动电子驱动ic 欧姆龙光电传感器 惠阳区光电传感器

无线传感节点电源设计

随着微型设备，如无线微型传感器等体积的减小和功能的增多，其能源供应问题日显突出，因而使得使用寿命缩短。提出了一种利用超低输入电压充电泵技术，与升压型DC/DC变换器电路相结合，将太阳能电池、碱性电池等低压电源应用于无线传感器节点的供电的方法。重点讨论了开关器件的驱动，惠阳区光电传感器，升压电路的启动和大占空比升压电路的原理，给出了一个超低电压电源管理系统的设计方案，并给出了5 V/200 mA电源测试结果。

深圳瑞泰威科技有限公司是国内IC电子元器件的代理销售企业，专业从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，光电传感器特性，具备上百个型号。与国内外的东芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶准等均稳定合作，保证产品的优质品质和稳定供货。自公司成立以来，飞速发展，产品已涵盖了工控类IC、光通信类IC、无线通信IC、消费类IC等行业。

磁电阻/超导复合式磁传感器原理

磁电阻/超导复合式磁传感器早由D. Robbes等人提出，该类传感器主要由磁电阻传感器和超导磁场放大器构成。其中超导磁场放大器是一个由超导薄膜构成的闭合环路。超导环路中有一段宽度狭窄区域。磁电阻传感器位于超导磁场放大器环路狭窄区域上方并由绝缘层分隔。

对于超导磁场放大器而言，其磁场放大倍数主要由放大器的尺寸和狭窄区域宽度决定。增大超导磁场放大器的尺寸，以及减小狭窄区域的宽度，都会显著增加超导磁场放大器的磁场放大倍数。例如，理论计算表明，当超导磁场放大器直径达到25 mm，狭窄区域宽度为2 μm时，磁场放大倍数将达到3500 倍，而相应的磁电阻/超导复合式磁传感器的磁场探测能力将有望达到1 f，甚至更低的磁场。

磁电阻/超导复合式磁传感器的性能不仅取决于超导磁场放大器的磁场放大能力，同时也取决于磁电阻传感器的灵敏度、噪声等特性。目前在磁电阻传感器领域性能为优异、同时有应用价值及潜力的当属GMR和TMR磁传感器。下面将分别对GMR/超导复合式磁传感器的发展及本课题组在TMR/超导复合式磁传感器制备、测试方面开展的工作进行介绍。

片级芯片测试在IC制造工艺中已经成为不可或缺的一部分，发挥着重要的作用，而测试探卡在圆片级芯片测试过程中起着关键的信号通路的作用。分析指出由于芯片管脚密度的不断增加以及在高频电路中应用的需要，传统的组装式探卡将不能适应未来的测试要求;和传统探卡的组装方法相比，MEMS技术显然更适应当今的IC技术。综述了针对MEMS探卡不同的应用前景所提出的多种技术方案，特别介绍了传感技术国家重点实验室为满足IC圆片级测试的要求，针对管脚线排布型待测器件的新型过孔互连式悬臂梁芯片和针对管脚面排布型待测器件的Ni探针阵列结构的设计和制造。

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