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- 2020-05-20 14:34:21
湖北丰热科技有限公司（原武汉离子热处理研究所），专业制造辉光离子渗氮炉的高新技术企业；是集研发、生产、销售安装辉光离子渗氮炉，并为用户提供成套的离子渗氮工艺技术服务。
?选用正弦波中频靶电源，由于波形的原因，靶面产生打弧的几率更低并优于双极性矩形波中频靶电源。更适合于对薄膜表面和膜层质量要求较高的溅射工艺。??一般来说，射频辉光放电与直流及中频交流脉冲辉光放电相比，可以在低一个数量级的气体压强状态下进行(例如，1.0×1-2Pa)。??
湖北丰热科技有限公司（原武汉离子热处理研究所），专业制造辉光离子渗氮炉的高新技术企业；是集研发、生产、销售安装辉光离子渗氮炉，并为用户提供成套的离子渗氮工艺技术服务。
两种靶电源不同之处：选用(工艺型)双极矩形波或正弦波中频靶电源，因其输出的电压和电流的占空比可以大范围连续调节，镀膜时电源的工艺参数适应范围比“经济型”中频靶电源要宽很多；适用于需要经常变化的磁控溅射镀膜工艺和不同材质的膜层。?(经济型)双极性矩形波或正弦波中频靶电源的输出电压或电流的工艺调节范围偏窄，若相关参数选配合适，一般可用于磁控溅射镀膜工艺相对固定和单一的工业生产中，氮化炉，其优点是靶电源价格可以相对便宜。??
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将两个面积不相等的电极置于射频(例如13.56MHZ)辉光放电离子体中形成非对称放电，面积小的那个电容耦合阴极有可能形成并建立阴极靶表面的负偏压，并能产生溅射。?电容耦合型射频(RF)放电电极自给偏压的形成，可以防止绝缘层表面正电荷的积累，有助于射频放电的维持。阴极靶表面的“自生负偏压”的数值可以近似等于射频溅射电压的幅值，最1高时可达千伏量级。