CHA3666-FAB产品介绍
CHA3666-FAB由深圳市立年电子科技有限公司代理销售，CHA3666-FAB为两级自偏置宽带单片低噪声放大器。该电路采用标准制造pHEMT工艺：0.25µm栅极长度，通过穿过基板的孔，气桥和电子束栅极光刻。建议在无铅表面贴装中使用密封金属陶瓷6x6mm²封装。整体电源为4V / 80mA。该电路专用于太空应用并且也非常适合广泛的微波和毫米波应用和系统。
CHA3666-FA主要特点
宽带性能6-16GHz
1.8dB典型噪声系数
24dBm三阶拦截点
1dB压缩时16dBm功率
21dB增益
低直流功耗
6x6mm²金属陶瓷密封包装
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