贴片MOS管HC037N06L场效应管60V30A252封装

MOS管型号：

HC037N06L中压MOS:60V，N沟道，大电流，小封装MOS，实际电压可以达到60V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。

HC037N06L参数：60V 5A TO-252 N沟道MOS管/场效应管：60V  5A  封装：TO-252沟道：N沟道,产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品,公司免费提供HC037N06L样品，并提供产品运用的技术支持

产品型号：HC160N10LS参数：100V5A ，丝印：HC510 ，类型：N沟道场效应管，内阻155mR，低结电容400pF，  封装：SOT23-3，低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压

产品型号：HC160N10L参数：100V10A  ，类型：N沟道场效应管，内阻145mR，低结电容400pF，  封装：TO-252，低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压

产品型号：HC085N10L参数：100V15A  ，类型：N沟道场效应管，内阻70mR，低结电容525pF，  封装：SOT89，低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压

温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强，低内阻，低结电容，特别适合频率要求高的高频雾化器、香薰机、加湿器等，出货量非常大，产品稳定成熟，供货充足。

型号：HC020N03L    N沟道场效应管  30V30A       TO-252                         内阻20mR

型号：HC3600M       N沟道场效应管  30V8A         SOT23-3封装             内阻22mR

型号：HC3400M       N沟道场效应管  30V5.8A      SOT23-3封装             内阻30mR

型号：HC1033D       N沟道场效应管  100V8A       DFN3*3封装               内阻145毫欧

型号：HC1019D       N沟道场效应管  100V14A     DFN3*3封装               内阻84毫欧

型号：HC1006DD     N沟道场效应管  100V30A     DFN3*3封装               内阻20毫欧

型号：HC6033D       N沟道场效应管  60V13A       DFN3*3封装               内阻70毫欧

型号：HC6019D       N沟道场效应管  60V20A       DFN3*3封装               内阻30毫欧

型号：HC5511D       N沟道场效应管  55V40A       DFN3*3封装               内阻13毫欧

型号：HC3022D       N沟道场效应管  30V45A       DFN3*3封装               内阻13毫欧

型号：HC3022D       N沟道场效应管  30V45A       DFN3*3封装               内阻13毫欧

型号：HC3039D       N沟道场效应管  30V25A       DFN3*3封装               内阻24毫欧 

型号：HC1519D       N沟道场效应管  150V6A       DFN3*3封装               内阻238毫欧

       产品型号过多，无法一一陈列，如需咨询，请电联