产品型号：HC3600M
参数：30V8A
内阻：22mR
结电容：445pF
类型：N沟道场效应管，内阻12mR
文章链接：安防展览网 //www.afzhan.com/company_news/detail/297511.html
类型：N沟道场效应管
开启电压：1.6V
封装：SOT23-3
特点：低开启电压、低内阻、结电容小、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强
可用于电脑主板、蓝牙音箱、电子烟、大电流RGB灯带调光、LED车灯、手机无线充、逆变系统等
HC3600M 一盘3000，品质保证，货源充足，量大价格实惠
东莞惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管