6N15 DFN3*3 N沟道MOS管HC1519D惠海原厂

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惠海半导体
温升低
低结电容
低内阻
抗冲击能力强
低开启
转换效率高
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2022-01-14 11:03:46
产品详情
6N15 DFN3*3 N沟道MOS管HC1519D惠海原厂

产品型号:HC037N06L

参数:150V6A

内阻:242mR

结电容:855pF

类型:N沟道场效应管,内阻12mR
文章链接:安防展览网 //www.afzhan.com/company_news/detail/297511.html
类型:N沟道场效应管

开启电压:1.7V

封装:DFN3333

特点:低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强

应用于车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能电源、舞台灯照明等



东莞市惠海半导体有限公司致力于研发销售高品质中低压场效应MOS管产品,不断创新及提供高性价比的产品来满足市场的需求,为客户提供可靠具性价比的产品,坚持不断创新,不断改善

东莞市惠海半导体有限公司拥有一支有丰富半导体经验的设计、研发、和销售团队

东莞市惠海半导体有限公司广泛整合国外先进的生产技术和丰富的人力资源,在产品和市场上不断开拓创新

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行业
场效应管/模块 深圳场效应管/模块
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