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- 深圳市夸克微科技有限公司
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- 2020-08-12 22:54:40
PW2305/A5SHB采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW2305/A5SHB是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。
PW2305/A5SHB具有比PW2302A更高的ID电流值，内阻比PW2302A偏低。
PW2305/A5SHB基本参数：VDS = -20V， ID =-4.9A，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V
PW2305/A5SHB采用SOT23-3L环保材质封装形式。