博尔特BT蓄电池12V120AH BT系列规格及参数

　模干扰/共模干扰（DifferentialMode）：指干扰杂讯流通路径的方式。凡是来自电源火线（HO经由零线（NEUTRAL）返回的杂讯称为差模杂讯。凡是来自电源火线（HOT）或零线（NEUTRA经由地线返回的杂讯，称为共模杂讯。一般杂讯所经由的不是共模路径就是差模路径，因此不同路径的杂讯采用不同的处理，以滤波、屏蔽等手段来消除。GBT：共有三个级，一般为G、E、C，通过G、E间加控制信号时可以改变E、C间的导通和。IGBT为电压型驱动器件，具备MOSFET的高速开关特性和晶体管的低导通电阻。敏电阻：是电源输入端一种保护器件，可吸收输入端高压，当电器设备插错电源或是电源突大，皆会造成它的损坏。装置压敏电阻的作用：保护电器内部的电子元件。OSFET：共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导截止。MOSFET为电压型驱动器件。