惠海半导体--中低压场效率管（MOSFET）
MOS管型号：HG021N10L
MOS管参数：100V30A
内阻：22mR（VGS=4.5V）
结电容：1880pF
类型：SGT工艺NMOS
开启电压：1.8V
封装：TO-252
惠海HG021N10L特点：高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小
应用领域：各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用
公司主营产品：30V、60V、100V、150V全系列nmos管，2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N10、25N10、30N10、35N10、40N10、20N06、25N06、30N06、40N06、50N06、60N06、2N15、8N15等