30V大电流小体积MOS管 DFN3*3小封装

       东莞惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 厂家直销，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能优越。

东莞市惠海半导体有限公司20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售。

【MOS原厂】

型号:HC3600M

参数：30V8A

类型：N沟道场效应管

内阻22mR

低结电容445pF  

封装：贴片（SOT23-3）

低开启电压1.5V

低结电容 低内阻

低结电容 低开启电压

温升低 转换效率高

过电流大 抗冲击能力强

HC3600M实际电压可以达到30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。