100V耐压MOS管 SGT工艺NMOS雾化器MOS

 惠海半导体--中低压场效率管（MOSFET）

MOS管型号：HC021N10L

MOS管参数：100V35A

内阻：22mR（VGS=4.5V）

结电容：1880pF

类型：SGT工艺NMOS

开启电压：1.8V

封装：TO-252

  

100V大电流系列：2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N10、25N0、30N10、35N10、40N10、50N10

SOT23-3封装、SOT223封装、SOP8封装、TO-252封装、DFN封装

60V大电流系列：5N06、10N06、20N06、25N06、30N06、35N06、40N06、50N06、60N06、70N06

30V大电流系列：3400、3404、2301、2300、9926、30N03、20N03、50N03、70N03、100N03、110N03

150V系列：8N15、20N15

 

惠海HC021N10L特点：高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小

应用领域：各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用

 

惠海半导体专业20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售

惠海半导体中低压MOS管广泛应用于：LED车灯电源，LED电源，POE交换机，电弧打火机，雾化器，香薰机，加湿器，美容仪。

【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等

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