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凭借较小的导通电阻及其在高温下的性能

凭借较小的导通电阻及其在高温下的性能，如今 SiC 已成为下一代低损耗开关和阻断元件可行的候选材料。相较于硅器件，SiC 器件具有众多优势，因为后者具有更高的击穿电压及其他特性，包括：临界电场击穿电压更高，因而在给定的额定电压下工作时漂移层更薄，大幅减小导通电阻。导热率更高，因而在横截面上可以实现更高的电流密度。带隙更宽，因而高温下的漏电流较小。因此，SiC 二极管和 FET 常称为宽带隙 (WBG) 器件。

交流电源输入时一般要经过厄流圈一类的东西

交流电源输入时一般要经过厄流圈一类的东西，过滤掉电网上的干扰，同时也过滤掉电源对电网的干扰；在功率相同时，开关频率越高，开关变压器的体积就越小，但对开关管的要求就越高；开关变压器的次级可以有多个绕组或一个绕组有多个抽头，以得到需要的输出；一般还应该增加一些保护电路，比如空载、短路等保护，交流恒流源厂家，否则可能会烧毁开关电源。主要用于工业以及一些家用电器上，如电视机，交流恒流源厂家直销，电脑等。

对于并联稳压电路而言，限流电阻R2是整个电路工作好坏的关键。R2选择大，稳压效果较好，但功耗大(因为电阻功耗P=I2R)，同时要求输入电压增大，电源的效率就比较低。具体计算方法可参考硅稳压管并联稳压电路元件选择的第三步。整个电路的稳定度需要根据实际电路的要求来确定，如果稳定度不够，交流恒流源生产，可以适当增加R1和UI，北京交流恒流源，还可以选择β值较大、漏电流较小的调整管。为保证稳压电源的效率，输入电压一般不要选择过高，以不超过2 UI为宜。

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