高温MOSFET 200度高温MOSFET 陕西妙奇超高温

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2021-03-01 10:21:09
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高温MOSFET(场效应管)为四端元件,高温MOSFET,有栅极、源极、漏极以及基极。MOSFET电路符号中,从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOSFET。箭头方向永远从P端指向N端,200度高温MOSFET,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。陕西妙奇微电子科技有限公司专业代理高温MOSFET(场效应管),可以为您提供全套的MOSFET选择推荐。




高温MOSFET场效应管的主要参数之直流参数:饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,1200V高温MOSFET,使ID到达某一个数值时所需的UGS。





选择到一款正确的高温MOSFET,可以很好地控制生产制造成本,230度高温MOSFET,最为重要的是,为产品匹配了一款最恰当的元器件,这在产品未来的使用过程中,将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。那么面对市面上琳琅满目的MOS管,该如何选择呢?想知道更多关于MOSFET的选型等事宜,欢迎联系陕西妙奇微电子科技有限公司。





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