凯立特 SCMOS相机

对于ICCD 而言，其像增强器门控装置所能产生超短的曝光时间才是其在具体应用中的zui大特点，也是sCMOS， EMCCD，制冷CCD 等其他高灵敏度相机所不能比拟，不能取代的。但是ICCD是通过光电阴极实现光电转换的，因此峰值量0子效率不超过50%，并且由于微通道板和荧光屏的存在，而降低了空间分辨率。

选型

要获得高品质、低噪声的视频图像(即使在光线不佳的条件下)，高灵敏度相机必不可少[2]。

需要明确拍摄物体，需要多大的分辨率，需要达到多少精度，帧频是多少，所用软件的性能等等。例如如果是生命科学试验中需要显微观察的生物样品可能具有活性和移动等特点，所以EMCCD作为一种弱光探测器，配合共焦显微镜系统使用效果更好。

名词解释

a)探测效率

雪崩光电二极管APD在单光子探测模式下的性能主要以其探测效率为特征。该量对应于光子撞击到光电二极管上被探测到的概率。InGaAs SPAD的探测效率来自两个不同的因素：

1.光子被InGaAs层吸收的概率；

2.光生载流子在穿过倍增区时触发雪崩并在输出端产生电流的概率。

在基于光纤的光子计数器中，光纤与光电二极管的有效区域之间可能存在一些耦合损耗。为了对此进行补偿，可以通过稍增偏置电压以获得相同的探测效率。 但是这会稍微增加暗计数率。

当过偏置电压升高时，量0子探测效率也会相应提高。在1550 nm处，InGaAs / InP光电二极管的探测效率值通常高达25％。一般对于InGaAs / InP光子计数模块的探测效率是可调的。

到目前为止，通过后脉冲使用死时间的技术来降低暗计数增加。如果在探测到光子之后，SPAD两端的电压保持低于击穿电压的时间间隔大于陷阱寿命，则陷阱电平为空且不会触发雪崩。对于InGaAs/InP SPAD，典型的捕获时间在微秒范围内。在每次雪崩探测到光子之后，利用死区时间（=电压未升高到击穿电压以上的时间）来抑制雪崩，死区时间要比捕获电荷的寿命长。在100MHz的触发速率下，两个门之间的时间间隔为10ns。因此，1us的死区时间将抑制接下来的100个门，SCMOS相机，并且（zui）大计数率将限制为1 MHz，在门控模式下，可采取此方法。在自由运行模式下，死区时间会限制计数率。在死时间结束后，你能够无限制的探测光子，直到产生一个主电荷载体。


凯立特-SCMOS相机由武汉凯立特科技有限公司提供。武汉凯立特科技有限公司位于湖北省武汉市江岸区绿地汉口中心S11-4-11。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前凯立特在画面处理器中享有良好的声誉。凯立特取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。凯立特全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。