高性能RISC CPU：
• 仅需学习33 条单字指令
• 除了程序转移指令，所有指令都是单周期指令；程
序转移指令是双周期指令
• 2层深硬件堆栈
• 数据和指令采用直接、间接和相对寻址模式
• 工作速度：
- DC－ 20 MHz 晶振
- DC－ 200 ns 指令周期
• 片上闪存程序存储器
- 1024 x 12
• 通用寄存器（SRAM）
- 67 x 8
• 闪存数据存储器
- 6? x 8
单片机特性：
• 8MHz高精度内部振荡器
- 出厂时精度已校准到±1%
• 在线串行编程（In-Circuit Serial
Programming™， ICSP™）
• 在线调试（In-Circuit Debugging， ICD）支持
• 上电复位（Power-On Reset， POR）
• 器件复位定时器（Device Reset Timer， DRT）
• 看门狗定时器（Watchdog Timer， WDT），带专
用的片上RC 振荡器以便可靠地工作
• 可编程代码保护
• 复用的MCLR 输入引脚
• I/O引脚具有内部弱上拉功能
• 节能休眠模式
• 在引脚电平变化时从休眠中唤醒
• 可供选择的振荡器选项：
- INTRC：4 MHz 或8 MHz 高精度内部RC 振
荡器
- EXTRC：外部低成本RC 振荡器
- XT： 标准晶振/ 谐振器
- HS： 高速晶振/ 谐振器
- LP： 节能低频晶振
- EC： 高速外部时钟输入
低功耗特性/CMOS 技术：
• 待机电流：
- 2.0V时典型值为100 nA
• 工作电流：
- 32kHz、2.0V 时典型值为15 μA
- 4MHz、2.0V 时典型值为170 μA
• 看门狗定时器电流：
- 2.0V时典型值为1 μA
- 5.0V时典型值为7 μA
• 高耐久性程序和闪存数据存储器单元
- 程序存储器耐写次数达100,000 次
- 闪存数据存储器耐写次数达1,000,000 次
- 程序和闪存数据保存时间：> 40 年
• 全静态设计
• 宽工作电压范围：2.0V 至5.5V
- 宽温度范围
- 工业级：-40°C 至+85°C
外设特性：
• 12个I/O 引脚
- 11个可单独进行方向控制的I/O 引脚
- 1个仅用作输入的引脚
- 高灌/ 拉电流能力，可直接驱动LED
- 电平变化时唤醒
- 弱上拉
• 带有8 位可编程预分频器的8 位实时时钟/ 计数器
（TMR0）
• 2个模拟比较器
- 可从外部访问比较器输入和输出
- 1个比较器，具有0.6V 固定片上绝对参考电
压（VREF）
- 1个比较器，具有可编程片上参考电压
（VREF）
• 模数（Analog-to-Digital， A/D）转换器
- 8位分辨率
- 3通道外部可编程输入
- 1通道内