金刚石基氮化铝：
@高质量
@高热导率
@表面粗糙度小于1nm
@晶体质量好
@可定制化
化合积电自主研发生产的金刚石基氮化铝(AIN on Diamond)，是采用PVD磁控溅射技术沉积生长氮化铝，氮化铝作为金刚石与氮化镓的缓冲层，具有均匀性好，可简化外延生长步骤，降低成本，减小异质衬底与外延层的晶格失配性等独特优势，为实现高质量GaN/AlGaN材料的外延生长制备提供保障。通常用于 UV-LED领域，也适用于电子设备和基础研究。
化合积电PVD-AlN 模板与 MOCVD 和 HVPE 生长模板相比具有多个优势，包括：
其通过改善AlN 生长步骤提高产量；
与 MOCVD 或 HVPE 生长的 AlN 相比，成本更低，有利于规模化量产；
可提供高达 200 mm厚度（可根据要求提供其他厚度）。
规格参数(parameters) | 参数值(value) |
产品编号（Product number） | AIN-003A |
金刚石材料（Substrate） | 200um~500um;多晶 |
尺寸（inch） | 1cm*1cm; 2寸；其他定制化尺寸 |
AlN外延厚度（Thickness） | 50~200nm |
晶面取向（Orientation） | c-aixs [0002] |
表面粗糙度（nm）(5x5um) | Ra < 2nm (200nm) |
摇摆曲线XRC半高宽(°) @（0002） | ＜3° |
包装（Packaging） | 单片/多片晶圆盒 |