电力电子转换器的设计工程师在开发用于电机驱动、不间断电源（UPS）、焊接设备及感应加热系统的成本效益型产品时，高度依赖可靠且坚固的绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块。这些模块的核心需求包括：利用最新芯片技术优化静态与动态损耗、紧凑的模块尺寸以缩小转换器体积、降低模块外壳高度以减少内部杂散电感、便于低电感直流母线布局的直流正负及交流端子、支持半桥/斩波/六合一等多种开关拓扑、顶部具备简单灵活的驱动接口、集成温度传感器以实现基础保护，以及支持模块并联以提升输出功率。
然而，对比现有IGBT模块技术，传统设计存在明显短板。例如，34毫米/62毫米宽度的半桥封装中，交流与直流端子的位置阻碍了直流母线的便捷构建，且限制了顶部驱动器的安装空间；受通用标准限制，端子最小高度达30毫米，不同尺寸模块的主端子间距不一致，导致自动化生产困难，且主端子最大电流受限。此外，现有的六合一模块存在功率（热）密度过高导致硅材料利用率低、机械尺寸大限制制造商与用户选择、产品灵活性差及范围有限等问题。
随着IGBT3沟槽（Trench）和软穿通（SPT）等新芯片代际的发展，传统封装布局已难以匹配新特性。新一代IGBT具有更低的饱和电压（VCE(sat)），而SPT器件则在开关损耗（Esw）与饱和电压之间提供了**性能平衡。同时，模块内部设计需进一步降低欧姆电阻以减少导通损耗，并最小化换流期间的过电压。为此，SEMiX™新技术应运而生，旨在克服现有模块的缺陷，完美匹配最新的IGBT半导体技术，并引入平台化概念，构建了一个可扩展且高性价比的IGBT模块家族。
SEMiX模块集成了最新的IGBT与二极管技术，目前提供1200伏和1700伏阻断电压，600伏沟槽系列正在开发中。1200伏模块采用SPT IGBT与CAL二极管组合，特别适用于开关频率高于6千赫兹的应用。其内部构造沿用铜基板技术，氧化铝陶瓷基板（DBC）通过焊接固定在铜基板上，每个DBC构成半桥电路。通过并联多个相同的DBC来确保所需的输出功率，且所有SEMiX类型均采用同一DBC设计，主端子直接焊接在陶瓷基板上，不仅提供优异的冷却效果，还保证了极低的封装导通损耗。
在辅助连接方面，SEMiX采用螺旋弹簧技术连接栅极、发射极、集电极检测及温度传感器，弹簧垂直置于DBC铜区与集成在模块盖板的接口PCB之间，确保在恶劣环境下连接的可靠性。每个半桥模块均集成NTC热敏电阻温度传感器。新平台的端子高度仅为17毫米，有利于实现紧凑的电力电子系统。直流正负与主交流端子分布在模块两侧窄边，实现了清晰的直流与交流隔离，便于安装低电感层叠母线，并允许连接两根负载电缆，使转换器布局简洁紧凑。
SEMiX平台的核心优势在于额定输出电流的可扩展性。基于该平台，已开发出SEMiX 2（190-480安培）、SEMiX 3（250-700安培）和SEMiX 4（300-1000安培）三种半桥模块。SEMiX 2和SEMiX 3模块宽度相同（50毫米），仅长度不同，这意味着单一机械设计可覆盖22千瓦至110千瓦的宽功率范围。SEMiX 4适用于高达150千瓦的高功率应用。该平台支持最多六路并联，且由于对称性设计，降额可忽略不计。得益于IGBT和二极管在主要功率范围内具有正温度系数的导通电压，模块并联连接变得简单高效。
针对最常见的三相逆变器桥拓扑，SEMiX平台既支持六合一版本，也支持三半桥模块组合。对于需要直流母线动态能量回收的应用，斩波模块（降压或升压）也可集成在同一外壳内。与传统的六合一SEMiX 33相比，将三个SEMiX 3半桥模块以42毫米间距排列，可使散热器到环境的 thermal resistance 降低20%，从而提升输出电流、降低冷却成本或延长模块寿命。
SEMiX提供了三种灵活的驱动接口版本：标准版采用可焊接/插针连接器；弹簧版采用弹簧加载（卡扣式）接口，用户可将自定义驱动PCB直接放置在弹簧区域；IPM版则提供完整的驱动功能，包括隔离、开关信号生成、死区控制、去饱和监测及欠压锁定。这种灵活的引脚定义解决了传统模块接口与转换器设计不匹配的问题，使得紧凑型三相转换器的设计更加优化。
对于中国电力电子行业而言，SEMiX平台通过模块化与平台化设计，有效解决了传统封装在散热、布局及扩展性上的瓶颈，其灵活的并联能力和优化的驱动接口设计，为国内企业在变频器、新能源及储能等高端应用领域的产品迭代提供了重要参考，有助于提升国产功率模块系统的集成度与可靠性。