中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）已正式推出其第五代DRAM平台，并宣布两款24Gb LPDDR5X内存进入量产阶段。该产品于2026年世界制造业大会（合肥）上发布，专为智能手机及其他便携设备设计。
新发布的LPDDR5X内存单颗容量为24Gb（约3GB），提供两种封装规格以适应不同的主板设计。该类型内存针对电池供电设备优化，在数据传输速率与功耗之间寻求平衡。长鑫存储表示，相较于上一代产品，新款内存可存储多50%的数据，有助于厂商在不显著增加主板芯片数量的前提下提升设备RAM容量。
制造工艺方面，长鑫存储通过四重曝光技术将存储单元关键结构的间距缩小至11.95纳米。该技术需经过多次沉积、刻蚀与对准工序以绘制更精细的图案，可延长较先进程度光刻设备的使用寿命，但也会增加工序数量与对准误差风险。公司称相关工艺已通过计算机模拟及与中国设备厂商合作开发完成。
长鑫存储宣称，相较于第四代平台（以8Gb芯片为基准），新工艺可使每片硅晶圆产出的裸芯数量增加至少50%。该数据仅反映理论切割潜力，未包含剔除不良品后的实际良率，而最终良率是决定成本的关键指标，目前长鑫存储尚未公布具体数值。终端设备的性能表现还受内存控制器、处理器、软件及整机配置影响，并非单纯由内存容量决定。
全球DRAM市场仍由三星电子、SK海力士和美光科技主导。长鑫存储副总裁兼营销中心负责人罗晓东表示，新制程能力已达到当前量产最先进节点的同等水平，但该说法为企业单方面声明，尚未有独立机构对读写速度、功耗或良率进行验证。目前长鑫存储未披露首批客户名单、定价信息以及在中国境外的上市时间表。
该平台对中国半导体产业具有工业意义。自2022年起，美国对部分半导体制造设备与软件实施出口限制，促使中国加速降低对外国技术的依赖。此次量产确认了24Gb LPDDR5X的供应能力，但具体搭载机型及海外推广计划暂未公开。