Littlelfuse新推瞬态抑制二极管阵列具有高浪涌耐受性

　　Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出一个瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)产品系列，旨在保护PoweredUSB接口的直流电线免受破坏性静电放电 (ESD)损坏。

SP11xx系列瞬态抑制二极管阵列采用以专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管，可保护接口中的每个输入/输出引脚。 这款功能强大的器件具有高浪涌耐受性，拥有Littelfuse所有瞬态抑制二极管阵列中最高的每平方毫米浪涌密度，在PoweredUSB接口所有相关电压电平下具有极低的动态电阻。 其可安全吸收±30kV的反复性ESD震击而不会造成性能减退，还可在极低的箝位电压下安全耗散80A的8/20μs浪涌电流。

SP11xx系列瞬态抑制二极管阵列可限制与插入交流/直流变换器相关、会向电池引入脏电的快速瞬变，从而预防与平板电脑和智能手机快速充电电池相关的过早损坏或发热问题。 其还可用于保护USB 3.1 C型接口的Vbus线路，这种接口在手持设备中越来越常见。

SP11xx瞬态抑制二极管阵列的其他应用包括开关/按钮、测试设备/仪表、销售点终端、医疗设备、笔记本电脑/台式电脑/服务器、计算机外围设备和汽车电子产品的ESD保护。

“SP11xx系列将能够发挥更高ESD保护水平的高浪涌耐受能力与能够加快响应速度的极低动态电阻相结合。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列业务开发经理Tim Micun表示。 “这款产品让设计师能够灵活选择应用的侧重点，无论是尺寸、成本还是性能。”