MBE分子束外延设备
预处理室极限真空：5×10-7Pa外延室样品台加热温度：室温～ 1200℃±1℃（PID 控制）进样室样品装载数量：6片
超高真空高能脉冲磁控溅射镀膜设备
预处理室极限真空：2×10-5Pa预处理室样片直径：Φ4英寸工艺室样品加热温度：室温～1200℃
高真空磁控溅射镀膜设备（圆形平面靶，柜式一体机）
基片尺寸：4"~8"磁控靶尺寸：2"~6"腔体材质：304/316（选配）不锈钢，电解抛光
高真空磁控溅射镀膜设备（矩形靶）
基片尺寸：平面矩形基片：≤350mm×120mm；单次装载量：4片靶材尺寸：矩形磁控靶：400mm x100mm极限真空：8.0X10-5Pa
高真空电子束蒸发镀膜设备
基片尺寸：4"~8"电子束蒸发源：最大功率10KW， e型电子枪腔体材质：304/316（选配）不锈钢，电解抛光
高真空电阻热蒸发镀膜一体设备
基片尺寸：1" ~6“电阻热蒸发源：1个～4个腔体材质：304/316（选配）不锈钢，电解抛光
LPCVD设备 HITSemi-LPCVD-200
最高温度：1150°C膜层不均匀性：优于≤±5%恒温区长度：400mm
小型PECVD等离子体增强化学气相沉积设备
基片尺寸：1" ~6"腔体材质：304/316（选配）不锈钢，电解抛光膜厚均匀性：优于±5%
小型HFCVD 热丝化学气相沉积设备
基片尺寸：圆形：最大φ550mm。矩形：最大1200mm x 550mm腔体材质：304/316（选配）不锈钢，电解抛光极限真空：5×10-1Pa
小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备
基片类型：不规则形状的散片、φ2～φ4英寸标准基片基片装载数量：标准基片：1片～2片；不规则尺寸散片：若干膜层均匀性：优于±5％
小型等离子清洗机（电感式）
离子源功率：0~200W功率可调清洗时间：1s~9999s 可调真空度：＜80Pa
电感、电容复合三维等离子体清洗机
离子源功率：0~300W功率可调清洗时间：1s~9999s 可调极限真空度：10-1Pa
小型等离子清洗机（电容式）HITSemi-P*l*a*sma-C1
真空度：＜80Pa有效处理空间：130mm × 245mm处理温度：＜60°
水平真空管式炉 HITSemi-VTF-260
工作温度：≤1100°C升温速率：1°C/min~10°C/min可调恒温区长度：≥400mm（可定制）
高真空超洁净气氛炉 HITSemi-VAF-1500
温度控制系统：长期工作温度：1400°C（可选配，1600°C）炉膛：炉膛尺寸（有效热场）：300mm × 200mm × 200 mm真空系统：极限真空度：6×10-4 Pa（空炉冷态洁净）
有机涂覆设备 HITSemi-CVDP-X
粉材装载量：1000g（可定制）蒸发炉：蒸发温度：80℃~220℃裂解炉：温度均匀性：±1%
