CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数

CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数

CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数

    CH.GREAT蓄电池详细介绍 

使用寿命10年以上。 

容量5.5-220安时(20℃) 

再充电时间短。 

1、性能好:正常使用下无电池膨胀及破裂。 

2、放电性能好:放CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数电电压平稳,放电平台平缓。 

3、耐震动性好:完全充电状态的电池完全固定,以4mm的振幅,16.7Hz的频率震动1小时,无漏液,无电 

池膨胀及破裂,开路电压正常。 

4、耐冲击性好:完全充电状态的电池从20cm高处自然落至1cm厚的硬木板上3次。

1．应用领域 

不间断电源军备电源 

监控系统 

通信设备航空/航海系统 

石化工业电厂/电站等 

2．铅酸蓄电池特性 

●免维护(寿命CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数期内无需加酸加水)。 

●使用生产工艺，单体电压均衡性好。 

自放电小。 

●内阻低，大电流放电性能优良。 

3．MF铅酸蓄电池安装要求 

●使用前检查电池外观有无裂纹，破损，现象， 

一经发现应及时查找原因或进行更换。 

●电池应安装在远离火源，热源(大于2M)的地方， 

有良好的排气通风条件，应确保电池运行的环境温度在15-25度。使得电池有较长的使用寿命。 

●充电电流电压，时间必须按厂家规定CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数执行，电池避 

免过充过放电。 

●搬运，安装，使用过程中应避免电池正，负极短路。 

4. MF铅酸蓄电池使用注意事项 

●拆装电池应由人员完成，若因机械损坏电池电液沾到了皮肤或衣服上。立即用清 

水冲洗。如果溅入眼睛，要尽快用大量的清水冲洗。 

●不同容量，不同制造商或新旧不同的电池请勿混用。 

●勿用花纤布或海棉擦拭电池外壳。 

●电池停搁6个月以上，使用前必须进行补充电。 

CH.GREAT蓄电池密封安全

高可靠的阀控式密封设计，有效确保电池的不漏（渗）液、无酸雾、不腐蚀。无流动性的电解液，使电解液在电池内部不产生分成现象。

使用寿命长

采用了耐腐性良CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数好的铅板栅，有效抵抗极板腐蚀，确保电池的使用寿命。在25℃的环境温度下，正常浮充寿命可达6年以上。

高功率放电性能好

采用了内阻值很小的优质极板和玻纤隔板，而且装配较紧，使得电池内阻极小。在-40℃~60℃温度范围内进行大电流放电，其输出功率比常规电池可高出15%左右。

低的自放电电流

采用优质高纯度的材料设计，使电池在储存或不使用时的自放电率大大降低，自放电率低于3％/月。

安全排气阀

压力将由电池内部产生，但安全阀具有良好的排气功能，在压力达到一定值时安全阀会自动开启排气，并在压力释放后自动重新关闭。

安全阀开启的压力为2Psi(14KPA)，封闭值为1.2Psi(8.4KPA)。防爆设计

电池内部装有防爆陶瓷滤片，在电池充电过程中，如果遇到明CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数火也不轻易进入电池的内部。

安装使用方便

电池出厂时已经完全充电，用户拿到电池后即可安装投入使用。

      CH.GREAT蓄电池构成成本高于液酸蓄电池，市面售价也高于铅酸蓄电池，但从使用的综合成本来说，要低于铅酸蓄电池。首先，二者的充电次数和充电时间不同。使用铅酸蓄电池，由于其自放电大，存放时间短，时常要进行补充电，而胶体蓄电池补充电的次数极少。也由于胶体蓄电池充电效率高于铅酸蓄电池一倍以上，也就可以成培的节省能源消耗的费用。其次，从使用寿命方面来说，正常使用情况下，胶体蓄电池的使用寿命是铅酸蓄电池一倍以上。再者，对使用物的腐蚀性方面来说，使用铅酸蓄电池对船舶、车辆等物体及周边、包括极柱连接件等存在严重腐蚀的情况，经常要清洗

       典型的 CMOS 成CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数像系统包含有源像素颜色阵列、模拟信号处理电路、模数转换器和用于控制接口、时序和数据读取的数字部分。阵列的填充因数是感光部分相对于传感器总尺寸的百分比。光电探测器是一种光敏传感器，用于捕获可见光子并将其转换为电流（毫微微安级）。分辨率用于量化 CMOS 图像传感器中的总像素阵列数，例如，200 万像素传感器阵列是 1600 列和 1200 行。但是，阵列中的像素并非都是有源的（可用于光检测），其中有些（在光学上是黑色的）像素用于黑电平和噪声校正。

图 1：典型的 CMOS 图像传感器模块

现有多种不同的像素晶体管设计，包括三晶体管 （3T）、四晶体管 （4T） 和五晶体管 （5T） 版本。在 4T 布局中，光电二极管将接收到的可见光子转换为电荷。每个电压一次读取一行并CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数放入柱状电容器 （C） 中。然后使用解码器和多路复用器进行读取。

图 2：四晶体管像素设计

帧率用于量化图像处理阵列捕捉完整图像的速度，一般为 30－120 fps。帧率受快门速度影响，后者控制图像传感器收集光线的时间。可编程时间间隔，也称为“暗期”，在读取后一行之后执行其他任务时，此间隔也会影响帧率，约为读取速率的 75％。帧是按顺序逐行读取的；后，缓冲器将整个帧存储为完整图像。

电源设计考量

CMOS 图像传感器一般CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数使用三个不同的供电轨，分别是模拟供电轨 （2．8 V AVDD）、接口供电轨（1．8 或 2．8 V DOVDD）和数字供电轨（1．2 或 1．8 V DVDD）。低压降 （LDO） 稳压器的输入引脚上有一个大旁路电容，可以稳定电源，帮助减少电压波动，从而改善图像传感器的噪声性能。电源抑制比 （PSRR） 衡量 LDO 抑制电源纹波引起的输入电压变化，或者阻断由其他开关稳压器导致的噪声的能力。具有低 PSRR 的 LDO 可能导致捕获的图像中出现不必要的水平纹波。在针对此应用设计具有足够高 PSRR 的 LDO 之前，可计算给定帧率所需的传感器行频。

图 3：正在进行稳压的 LDO

LDO 内部的反馈环路基本决定了工作频率低于 100 kHz 的系统的 PSRR。对于更高频率（高于 100 kHz）应用，仍取决于无源组件和 PCB 布局。因此，谨慎的 PCB 设计可以实现紧凑的电流环路，并降低寄生电感。普通 LDO 在高频率下 PSRR 较低。虽然这对标准摄像头来说不是问题，但更高分辨率 （50?200 MP） 和高帧CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数率的图像传感器要求 LDO 在更低频率（高 10 kHz）下的 PSRR 高于 90 dB，在更高频率 （1?3 MHz） 下高于 45 dB。

设计技巧

帧率 （30?120 fps） 和行速率 （22?44 kHz） 会产生动态负载，在模拟供电轨上引起下冲和过冲。在每次帧或行转换时，获取的电流类似于阶跃负载，意味着在每次读取帧和行（或之间）时，LDO 必须能够处理数百毫安级的负载变化。大容量电容（在行和帧频率下具有低阻抗）可以帮助摄像头去耦，以减少这种负载切换引起的纹波。

图像传感器的每个像素都有电荷饱和水平（或大阱容），这是在达到饱和之前像素能留存的电荷量（以电子为单位）。图像传感器的动态范围（以 dB 表示）是能CH.GREAT蓄电池6-GFM-65 技术参数同时捕获的图像亮和暗部分的比率。LDO 输出端的低频谱噪声密度（在 10 Hz 至 1 Mhz 之间）也有助于减少传输至 CMOS 图像传感器的噪声量，使像素实现更大的动态范围。后，总体纹波和噪声应至少低于传感器的噪声阈值 40 dB，在数据手册中通常表示为信噪比 （SNR）。