广州同创芯 武汉ADI(亚德诺）隔离器芯片促销

弯道超车，锁定芯片市场新机会

汽车规格级芯片已成为今年两会讨论的热门话题。许多汽车企业的领导都表示希望在政策、多方合作和技术方面改变行业现状。这些建议有助于解决汽车行业的“不足”问题，对推动传统燃油汽车领域的汽车规格级芯片的国产化和发展具有重要的参考意义，国内外企业之间存在较大差距。然而，中国汽车工业正朝着“新四化”的方向不断变化。在智能汽车和新能源汽车的新轨道上，国内外企业站在同一条轨道上，国内汽车规格芯片制造商面临着换道超车的新机遇。AI芯片MCU和power semiconductor有望成为国内企业追赶甚至超越国外企业的重要突破。

目前，国内汽车AI芯片的“玩家”很多，包括horizon、Cambrian、Baidu、Alibaba、Huawei等，他们积累了丰富的技术经验，产品应用进展顺利。例如，horizon推出了专为自动驾驶仪设计的AI处理器Travel 5，目标是L4-L5级自动驾驶仪。近日，武汉ADI(亚德诺）隔离器芯片促销价格，地平线宣布已与比亚迪和达成合作，旅程5将搭载两家汽车公司的相关车型。MCU市场高度集中，NXP、英飞凌和瑞萨电子等国外芯片巨头占据了主要市场，车载MCU也不例外。国内企业渗透率较低。然而，比亚迪半导体、捷发科技、国信科技、新旺微、奇普威、赛腾威等一大批企业仍在实现量产出货。其产品主要应用于灯具、车窗、汽车雨刷等低端领域。与此同时，国内厂商也在积极布局中车载MCU市场，以实现在汽车电子、工控、物联网等中领域的自主控制。

AI芯片和MCU是汽车智能化的关键技术。功率半导体在汽车电气化中发挥着重要作用，以碳化硅和氮化等第三代功率半导体为代表。

栅极长度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶体管

“超大规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，但栅极长度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，30天质保期ADI(亚德诺）隔离器芯片促销价格，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mV dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，MoS 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”

消费电子MOSFET面临去库存压力

月19日，据DIGITIMES报道，业内消息人士称，商用MOSFET芯片库存一直在上升，相关供应商可能从2022年第四季度开始面临减少库存的压力。

消息人士表示，现货交易ADI(亚德诺）隔离器芯片促销价格，在当前的宏观条件下，消费类笔记本、手机和电视的MOSFET需求已经开始放缓。这类商品MOSFET的供应商的库存水平正在上升，可能早将在今年第四季度进行库存调整。

消息人士指出，另一方面，商用和游戏PC以及其他特定用途的MOSFET需求有相对稳定的增长，特别是服务器和工业设备应用的需求有望在今年剩余的时间内继续加强。

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