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- 发布时间
- 2022-11-25 10:15:33
当硅片经清洗液处理后表面不沾水分子时称为疏水处理,反之表面吸附水膜时为亲水处理。纯净的硅片表面是疏水性的。从能量观点看,疏水性表面属低能表面,这时硅片表面张力r(SG)小于水分子表面张力r(SL)。亲水性表面则属高能表面,这时的硅表面张力r(SG)大于水分子表面张力r(SL)。由此可知,硅表面成为亲水性的基本条件为A=r(SG)- r(SL)>0
目前,关于PDMS. 与硅基材料低温键合的方法多种多样。在制作硅- PDMS多层结构微阀的过程中,疏水处理 图书,将PDMS直接旋涂、固化在硅片上,实现硅- PDMS薄膜直接键合,这种方法属于可逆键合,键合强度不高。在制作生物芯片时,利用氧等离子体分别处理PDMS和带有氧化层掩膜的硅基片,将其键合在一起。此方法实际上是PDMS与SiO2掩膜层的键合,但在硅表面由热氧化法制得的SiO2膜层与PDMS的键合效果并不理想。
利用氧等离子体表面处理,使PDMS与带有钝化层的硅片在室温常压下可以成功键合。在利用氧等离子体改性处理实现PDMS与其它基片键合的技术中,-般认为,疏水处理,在进行氧等离子体表面改性后,应立即将PDMS基片与盖片贴合,否则PDMS表面将很快恢复疏水性,面料疏水处理,从而导致键合失效,因此可操作工艺时间较短,玻片疏水处理,一般为1 ~ 10min。而通常在需键合的PDMS基片和硅基片上都会带有相应的微细结构,键合前需用一定的时间进行结构图形的对准,因此,如何使PDMS活性表面的持续时间得以延长,成为保证键合质量的关键。