内蒙古自治XRD掠入射（GIXRD）检测 半导体单晶XRD靠谱

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x射线应力测定原理

平行相干的X射线射到金属结晶表面时，会发生衍射。

描述X射线衍射现象的布拉格公式为：

通常取衍射级数n为1。

因此，可通过测量衍射角的变化来确定晶格间距s的变化。

当测定图b所示构件上一点O在x方向的表面应力时，须在与试件表面法线z成角度的方向上射入一束波长为λ的X射线。

在各向同性材料的均匀弹性变形条件下，有如下的关系：

式中E和v分别为材料的弹性模量和泊松比； 为ψ方向的应变；为法线取OP方向的特定晶格面的X射线衍射角；θ0为材料无应力状态时的衍射角。

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多尝试、详细记录单晶生长有很大偶然性。可采取少量样品多溶剂体系的办法反复尝试，提高成功的概率。例如，有 50 mg 样品，可以同时实验 5 种溶剂体系，每种溶剂体系尝试两次，每次 5 mg 。注意做好记录，XRD掠入射（GIXRD）检测实验室，以免重复采用已经失败的溶剂体系，而且单晶解析时往往需要知道所用的溶剂。

实验记录要详细。有时候测出晶体结构之后，还要收集更多晶体，以研究相关性能。如果实验记录不够详细，很可能造成晶体生长无法重复的后果。

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1）若样品为退火态粉末，此时无应变产生，衍射线宽化完全因样品晶粒尺寸过小导致的，此时应选择SIZE only。

2）若样品为合金块状样品 ，XRD掠入射（GIXRD）检测价格，结晶完整且加工过程中没有破碎，此时，线性宽化是由微观应变引起的，选择Strain only。

3）如样品存在上述两种情况，则应选择size/strain。

注意

a.利用XRD进行晶粒大小计算时，前提是假定晶粒为“球形”，所以其测出来的粒径不是很可靠，结果总是小于SEM和TEM，但无法进行和TEM时，其结果仍具有一定的参考依据。

b.该方法获得的晶粒尺寸是平均晶粒尺寸，是不同晶面上各衍射方向晶粒度大均值，若需要计算某一晶面上的晶粒尺寸，可采用“计算峰面积”命令。

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