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半导体光刻技术——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

那么第三代半导体材料究竟是什么呢？

在国际上一般把禁带宽度（Eg）大于或等于2.3 eV 的半导体材料称之为宽禁带半导体材料也称第三代半导体材料。

常见的第三代半导体材料包括：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌（ZnO）、氮化铝（AlN）等。

代半导体材料以硅（Si）为代表，经过长期的发展取代了笨重的电子管，从而推动了以集成电路为的微电子产品的迅猛发展；

第二代半导体材料则以镓（GaAs）和锑化铟（InSb）等为主，其中磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键器件，而镓高速器件更开拓了光纤及移动通信新产业。

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能光成像可以解决密形封装中出现的间题。在啸形封装中，当你把芯片放在上面时，芯片波此之间并不。很住将付片地保持在人们想要的微米范围内。然而，激光比成像可以解决病出型封装的肩移问题。同时，“自适应图案化”技术则是解决芯片偏移的—种方法。

国外Suss MicroTec公司在开发激光烧烛的干法图案化工艺。Suss的准分子烧蚀步进式曝光机结合了基于掩模板的图案化烧蚀。可以实现3pum的line/space，而2-2um也在进展中。

准分董优疣光的的是利所防率崇外(UVY)准分子就光拥的将胜直接去除材梓。典型的波长是3U6m 246om和]1931m。准分子说怏瞬间将相容的目标材料(和聚台物、有初机电介质)从固态转化为气态和副产物(即亚微米干碳颗粒)，从而产生很少甚至没有热影响区以及更少的碎片。

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进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，半导体光刻技术平台，寻找半导体材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。

小编认为相对于Si，SiC的优点很多：有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，山东半导体光刻技术，高一倍的饱和漂移速度。

因为这些特点，用SiC制作的器件可以用于的环境条件下。微波及高频和短波长器件是目前已经成熟的应用市场。42GHz频率的SiC MESFET，用在了相控阵雷达、通信广播系统中，用SiC做为衬底的高亮度蓝光LED则是全彩色大面积显示屏的关键器件。

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