PECVD真空镀膜厂家 半导体研究所

PECVD真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

真空镀膜机溅射溅射工艺介绍

真空镀膜机溅射溅射工艺主要用于溅射刻蚀和薄膜沉积两个方面。溅射刻蚀时，被刻蚀的材料置于靶极位置，受离子的轰击进行刻蚀。刻蚀速率与靶极材料的溅射产额、离子流密度和溅射室的真空度等因素有关。溅射刻蚀时，应尽可能从溅射室中除去溅出的靶极原子。常用的方法是引入反应气体，使之与溅出的靶极原子反应生成挥发性气体，通过真空系统从溅射室中排出。沉积薄膜时，溅射源置于靶极，天津PECVD真空镀膜，受离子轰击后发生溅射。如果靶材是单质的，则在衬底上生成靶极物质的单质薄膜；若在溅射室内有意识地引入反应气体，使之与溅出的靶材原子发生化学反应而淀积于衬底，PECVD真空镀膜价格，便可形成靶极材料的化合物薄膜。

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真空镀膜机设计应该注意什么，能减少捡漏工作

结构设计时，在容器或系统上要留有必要的检漏仪器备用接口，以便在设备组装、调试过程中检漏使用。尤其是大型、复杂的管路系统，通常需要采用分段检漏方法，因此在管路上要设置分段隔离的阀门，并在每一隔离段上预留检漏仪器接口。

零件结构设计时，尽量避免采用可能干扰检漏工作的设计方案。例如在真空室內螺钉孔不能采用盲孔形式，因为安装螺钉后螺孔内部剩余空间的气体只能通过螺纹间隙逸出，形成虚漏。从而延长系统抽气时间，PECVD真空镀膜实验室，干扰检漏正常进行。如图真空检漏中不应出现的结构。

与此类似，结构设计中不允许存在连续双面焊缝和多层密封圈结构，因为这会在中间形成“寄生积”内的气体会形成虚漏；而当内、外双侧焊缝或密封圈同时泄漏时，“寄生容积”使示漏气体穿越双层焊缝的响应时间过长，无法正常检漏。

焊接结构设计时，尽量减少总装后无法检漏的焊缝。

真空镀膜机捡漏工作，是需要在设计、制造、调试、使用各个有关环节中随时进行，但是为了减少后期捡漏工作加重，必须要在设计环节，就应该重视捡漏工作，PECVD真空镀膜厂家，确保真空镀膜机后期环节捡漏环节的减少。

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可变参数

在溅射过程中，通过改变改变这些参数可以进行工艺的动态控制。这些可变参数包括:功率、速度、气体的种类和压强。

功率

每一个阴极都具有自己的电源。根据阴极的尺寸和系统设计，功率可以在0 ~ 150KW(标称值)之间变化。电源是一个恒流源。在功率控制模式下，功率固定同时监控电压，通过改变输出电流来维持恒定的功率。在电流控制模式下，固定并监控输出电流，这时可以调节电压。施加的功率越高，沉积速率就越大。

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