非接触式PN测试仪

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2024-09-04 09:05:20
产品详情

本仪器为非接触,非损伤测试,主要利用涡电流测试原理,非接触测试半导体材料,石墨烯,透明导电膜,碳纳米管,金属等材料的电学特性。

详细介绍


一、产品描述

主要利用涡电流测试原理,非接触测试半导体材料,石墨烯,透明导电膜,碳纳米管,金属等材料的电学特性。

二、主要特点

本仪器为非接触,非损伤测试,具有测试速度快,重复性佳,测试敏感性高,可以直接测试产品片等优点。

三、核心模块描述

产品集成方阻(电阻率)、PN型、温度三探头一体式测量,可广泛用于硅片分选机、生产过程分析等光伏及半导体测量领域。本产品由如下部分组成:

1、控制主机

可实现电阻率探头、PN探头、温度探头、光纤信号的统一管理;与远程电脑进行网络通讯。

2、方阻(电阻率)探头

主要利用涡电流测试原理,非接触测试半导体材料,石墨烯,透明导电膜,碳纳米管,金属等材料的电学特性。

3、PN类型检测探头

利用光伏效应,通过测量由光伏效应引起的表面光电压 (SPV), 分析半导体材料相关性质。

四、主要技术参数

参数

探头

说明

组成

方阻探头

方法:非接触式涡流法

范围:1-300Ω/□ (0.1 - 20Ω*cm,Tk≈750um)

重复性:<1%

示值误差:<±3%

单点测量时间:< 1秒

型号:R-PN-200

(九域半导体科技)

PN探头

方法:非接触式SPV法

单点测量时间:< 1秒

误判断 < 0.02%

控制器

可同时连接电阻率探头和PN探头,可扩展温度探头

OCR

COGNEX     IN-SIGHT 1740系列晶圆读码器

主机

DELL(windows 10)+23寸显示屏

专用数据分析软件(记录、质控、Mapping)

可接入MES系统

测量过程

1、放置Wafer至样品台

2、通过按钮Ocr识别Wafer ID信息

3、手动移动探头至待测位置,按钮触发测量

4、数据显示(包括PN 和 方阻或电阻率)、记录、质控、输出文件等

5、根据客户需求可定制MES系统

Wafer信息

尺寸:> 2"

额定功率

36W(数据分析模组) + 250W(电脑)

环境温度

23 ±5°C

电源要求

额定电压(220±22)VAC  频率(50±1)Hz

提供标样

标准片:1片(4寸),电阻率范围1Ω*cm - 10Ω*cm

验收判定

n  测试条件:设备正常运行后,不低于10片的Wafer进行测试

n  设备性能:满足上述量程内重复性及准确性标准

五、仪器使用环境

l  环境温度:23 ±5°C

l  环境湿度:(65±20)%RH

l  电源要求:额定电压(220±22)VAC  频率(50±1)Hz

六、安装与验收

1)     物流运输;

2)     仪器至甲方后,乙方在得到甲方通知后(最迟甲方签收仪器后5个工作日),,乙方只收取硬件成本费用;

4)     乙方免费协助甲方将仪器数据对接至甲方MES系统,若需增加硬件则无需甲方承担费用。

八、质保期

本仪器,乙方提供自验收之日起1年质保;

九、发货备件清单

序号

名称

数量

1

测试仪

1台

2

电源线

1条

3

电脑(Windows正版、数据GHOST备份)

1台

4

通讯线

1条

5

说明书

1本

6

出厂合格证

1个


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