高真空磁控溅射镀膜设备（矩形靶）

高真空磁控溅射镀膜设备主要是用矩形磁控溅射靶进行溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
也可用于TGV/TSV/TMV 先进封装的研发，高深径比（≥10:1）的深孔金属种子层镀膜。

主要特点
一机多用，支持平面、圆柱体、碗状/整流罩等多种形状基片镀膜。
基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
样品台可增加偏压装置，可用于深孔镀膜；可调控镀膜质量。

技术参数

产品型号	HITSemi-PVD-650SR
基片尺寸	平面矩形基片：≤350mm×120mm；单次装载量：4片运动方式：公转，或单一定位圆柱体工件：≤φ150×350mm；单次装载量：4片运动方式：公转+自转，或单一定位自转圆形基片：≤φ100mm；单次装载量：1片运动方式：仅自转
靶材尺寸	矩形磁控靶：400mm x100mm 圆形磁控靶：φ3英寸
磁控溅射靶数量	2支~4支（可选配）
适用材料	金属、绝缘材料、铁磁材料均可
腔体材质	304/316（选配）不锈钢，电解抛光
真空系统	分子泵+干泵机组
极限真空	8.0X10-5Pa
恢复工作背景真空	大气至8.0×10-4Pa，30分钟左右（新设备充干燥氮气）
设备总体漏放率	关机12小时真空度≤8Pa
溅射方式	单独溅射
工艺电源	射频电源、中频电源、HIPIMS高能脉冲电源、直流脉冲电源、直流溅射电源
基片台加热温度	φ100mm基片工件台，可加热温度最高约600℃ 其它工件台，可加热温度最高约300℃
多功能工件台	可旋转、可加热、可加偏压
膜厚均匀性	平面基片优于±3%，异形基片根据形状待定
控制形式	半自动/全自动
工艺气体	3路（N2、Ar、O2）
基片台偏压	可选配
等离子清洗源	可选配
膜厚监控	可选配
恒温制冷水箱	可选配
空气压缩机	可选配

设备工作条件