半导体CMTI测试服务

对象：隔离器件、光耦、驱动器等

参数：共模瞬态抑制比CMTI值

测试样品 CMJ 一个器件。输入电压：10.8 V～13.2 V，输出电压：+20 V/-5 V，输出电流：±0.09 A，效率：87%，最容性负载：470 μF，纹波典型： 100/50 mV。

测试接线测试样品 CMJ*供电为 9 V锂电池通过升压模块升压到 12 V 为测试样品供电。高压脉冲正极接测试样品 4 脚 0 V（输出公共端），高压脉冲地接 2 脚 GND（输入负）。

测试结果：根据客户提供被测样品，在脉冲电源最输出 2000 V 的情况下，调整正脉冲斜坡速率为 50 kV/μs、100 kV/μs、150 kV/μs、200 kV/μs；调整负脉冲斜坡速率为 200 kV/μs。测试结果如下。