高纯石墨坩埚：专为第三代半导体碳化硅（SiC）单晶生长定制

随着第三代半导体产业的快速发展，碳化硅（SiC）单晶生长对高温、高纯度材料的需求不断增加。弘信新材推出的高纯石墨坩埚，专为SiC单晶生长工艺定制，具备卓越的耐高温性（最高可达2200°C）、导热性和化学稳定性。

产品特性：

高纯度石墨材料，纯度≥99.99%，确保在高温环境下不污染SiC晶体。

适用于4寸、6寸、8寸、12寸长晶衬底，满足不同客户的需求。

提供定制化服务，可根据客户图纸加工，确保完美适配您的设备。