2026碳化硅氮化镓器件展览会｜聚焦宽禁带半导体核心器件的专业展

碳化硅氮化镓器件展览会 2026，是 IC China 2026 旗下聚焦宽禁带半导体核心器件的专业专属展区，深度聚焦碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率器件、射频器件、模组及核心配套技术，是国内 SiC/GaN 器件领域专业性强、产业链聚焦、应用落地性高的垂直行业展会。展会定于 2026 年 11 月 12-14 日在北京国家会议中心举办，依托 IC China专业化平台优势与全产业链资源，打造 SiC/GaN 器件技术展示、产品推广、供需对接、商务合作的核心平台，助力国产碳化硅氮化镓器件规模化应用与国产化替代提速。

IC China 中国国际半导体博览会，由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院联合主办，工信部指导，历经二十二届深耕运营，是国内半导体产业链覆盖全、影响力深远的盛会。2026 届展会展览面积达 50000 平方米，汇聚全球超 800 家参展企业、吸引超 10 万人次专业观众，覆盖半导体设计、制造、封测、设备、材料、第三代半导体等全领域。碳化硅氮化镓器件展览会作为本届展会重点打造的化合物半导体专属展区，精准聚焦 SiC/GaN 器件核心赛道，共享主展流量、买家资源、论坛体系与全媒体宣传矩阵，为器件企业提供高精准、高转化的品牌展示与市场拓展窗口。

碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）作为第三代半导体核心材料，其器件具备低导通损耗、高频高效、耐高温、高可靠等核心优势，是新能源汽车、光伏储能、工业电源、快充、5G 射频、数据中心等领域实现高效节能、小型化、高可靠的核心支撑。当前，全球 SiC/GaN 器件市场进入高速增长期，国产器件企业在材料良率、器件性能、封装可靠性、成本控制等方面持续突破，车规级认证加速推进，国产化替代进入关键攻坚期，器件企业亟需专业垂直展会集中展示技术成果、对接终端客户、拓展市场渠道、提升行业话语权。

本届碳化硅氮化镓器件展览会 2026 聚焦 SiC/GaN 器件全产业链，展品范围精准覆盖核心产品与配套技术：

碳化硅（SiC）功率器件：SiC MOSFET（650V/1200V/1700V/3300V）、SiC 肖特基二极管（SBD）、SiC 功率模块、SiC IPM、车规级 SiC 器件、高压大电流 SiC 器件、SiC 驱动芯片；

氮化镓（GaN）功率器件：GaN HEMT（650V/1200V）、GaN 功率模块、GaN 快充芯片、GaN 驱动芯片、车规级 GaN 器件、高频 GaN 器件；

氮化镓（GaN）射频器件：5G/6G 射频功率放大器、射频开关、滤波器、低噪声放大器、GaN 射频模组、卫星通信射频器件；

先进封装与散热技术：SiC/GaN 器件高可靠封装、功率模组封装、SiP 系统级封装、散热基板、键合材料、封装检测仪器、热管理解决方案；

器件测试与可靠性设备：SiC/GaN 器件电性测试系统、可靠性试验装置、老化测试设备、失效分析仪器、车规认证测试服务；

应用解决方案：新能源汽车电驱系统、车载充电机（OBC）、光伏储能变流器（PCS）、工业电源、快充电源、数据中心电源、充电桩模块、射频通信设备。

展会同期举办2026 中国 SiC/GaN 器件创新论坛、碳化硅功率器件车规认证与可靠性研讨会、氮化镓快充与射频应用技术交流会、SiC/GaN 器件上下游企业对接洽谈会等多场专业活动。汇聚器件企业高管、终端应用工程师、检测机构负责人，深度解读 SiC/GaN 器件技术趋势、市场需求、车规认证标准、国产化替代路径，分享器件设计、工艺优化、封装散热、可靠性提升、成本控制等实战干货，打通器件企业与终端应用的对接壁垒，推动 SiC/GaN 器件规模化应用。

观众邀约精准定向新能源汽车整车厂、动力电池企业、光伏储能厂商、工业电源企业、快充制造商、数据中心运营商、5G 通信设备商、航空航天配套单位、科研院所与高校实验室，重点邀请采购总监、技术研发负责人、产线工程师到场观展洽谈。通过一对一精准商务配对、专场采购洽谈会、闭门技术对接会、新品发布路演等多元形式，帮助 SiC/GaN 器件企业高效触达核心客户，缩短选型、验证、采购周期，加速国产碳化硅氮化镓器件批量导入终端应用市场。

依托 IC China 全媒体传播矩阵，整合半导体垂直媒体、产业资讯平台、行业协会官网、主流科技媒体资源，全方位宣传国产 SiC/GaN 器件创新成果与技术实力，强化国产宽禁带器件品牌影响力，完善 “材料 — 外延 — 器件 — 封装 — 应用” 协同发展的产业生态，加快关键技术自主可控进程，助力我国碳化硅氮化镓器件产业抢占全球竞争制高点。

有意向参展的企业，可查看页面联系方式，咨询展会详情、展位报价、商务配对等事宜，专业工作人员将提供一对一专属参展方案，助力企业精准对接半导体下游客户、抢占 2026 年行业先机！