供应MOS管6N60场效应管
详细信息
订购说明
品牌：国产 型号：6N60 种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：P沟道 导电方式：增强型 用途：SW-REG/开关电源
封装外形：P-DIT/塑料双列直插 材料：IGBT绝缘栅比极
详细介绍
当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。