FF400R12KE3 KT3 KT4英飞凌

英飞凌FF400R12KE3

  英飞凌FF400R12KE3 KT3 KT4模块应用于UPS、开关电源、变频器、逆变器、电动车辆、充电机、感应加热、轨道交通、电焊机以及新兴的风力发电、太阳能光伏发电、电动车等新能源行业等领域。

 

  产品描述： 62毫米C系列模块，带沟槽/ fieldstopp IGBT3和EMCON高效率二极管，IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE，材料含铅。

英飞凌FF400R12KE3外形结构图

产品种类：		IGBT 模块
品牌和型号		英飞凌FF400R12KE3 英飞凌FF400R12KT3 英飞凌FF400R12KT4
产品：		IGBT Silicon Modules
配置：		Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：		1200 V
集电极—射极饱和电压：		2.15 V
在25 C的连续集电极电流：		580 A
栅极—射极漏泄电流：		400 nA
功率耗散：		2000 W
最大工作温度：		+ 125 C
封装 / 箱体：		62 mm
商标：		Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压：		20 V
最小工作温度：		- 40 C
安装风格：		Screw
工厂包装数量：		500

 

　

英飞凌FF400R12KE3电路图

【英飞凌FF400R12KE3 KT3 KT4 IGBT模块工作原理】

 

　　IGBT模块有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移(半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因)，本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。

 

　　若在IGB模块T的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。