1MBI200HH-120L-50富士 三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com 深圳市亨力拓电子有限公司
富士1MBI200HH-120L-50
【产品特性和运用】
富士1MBI200HH-120L-50模块是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有 MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。运用与DB变频器的电机驱动，AC和DC赐福启动放大器（DB），和主动式PFC和工控机。IGBT模块1200V / 200A / 1在一个封装 。
1MBI200HH-120L-50外形结构图
【富士 1MBI200HH-120L-50产品参数】
封装材料：塑料封装
极数：多极
封装外形：平板形
品牌：FUJI/富士通
型号：1MBI200HH-120L-50
控制方式：IGBT模块
关断速度：高频(快速)
散热功能：不带散热片
频率特性：高频
功率特性：大功率
产品报价：请来电或咨询
富士 1MBI200HH-120L-50等效电路图
富士1MBI200HH-120L-50 IGBT模块原理电路分析
IGBT模块有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移(半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因)，本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。
若在IGB模块T的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。