低开启电压100V15A N沟道MOS管 过电流大

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型号:HC080N10L ,丝印：15N10，参数：15A100V ，类型：N沟道场效应管，内阻70mR，超低结电容525pF，  封装：贴片（SOP-8），低开启电压1.5V，超低结电容，低内阻，超低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

HC080N10L优势替代替代HY0810S，替代HY0310S,替代AO4292 AO4294 AO4290 CJQ07N10,替代NCE0114AS 

【场效应管的作用】
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。

5、场效应管可以用作电子开关。 

惠新晨电子一直致力于研发和销售高品质产品,技术包括平面工艺，沟槽工艺和先进的SPLIT GATE技术。产品专注于节能，可靠和不断创新，以不断提供高性价比的产品来满足市场需求。 

惠新晨电子致力于极大限度地满足客户的需求，为客户提供极可靠和极具成本优势的产品。坚持不断创新，不断改善，建立与工程师和客户共同价值的合作伙伴。

惠新晨电子拥有一组具有丰富半导体经验的设计、研发和销售团队，团队多数成员在世界优良公司有过丰富的工作经验。

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